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随着集成电路的高速化、高集成化、高密度化封装的发展,封装引线的电性能对集成电路的影响越来越大,封装引线电性能的测试与控制也越显重要。 相似文献
123.
《电子工业专用设备》编辑部 《电子工业专用设备》2008,37(6)
<正>由中国半导体行业协会、大连市人民政府主办,中国半导体行业协会封装分会、大连市信息产业局、大连市半导体行业协会承办,大连市开发区管委会、大连市高新园区管委会协办,北京菲尔斯 相似文献
124.
电感储能型脉冲功率调制器中的一个关键部件是断路开关。电爆炸金属丝(箔)断路开关是使用最广泛的一种。为了给今后开展更高功率断路开关研究奠定基础,开展了电爆炸箔断路开关的理论和实验研究。 相似文献
125.
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本文对所合成的具有 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼的 3种新颖的有机 磷钼酸盐簇合物(NH3CH2 CH2 NH3) 2 5[(PO4 ) (HPO4 )Mo5O1 5]·7 5H2 O (Ⅰ ) ,(H3NCH2 CH2 NH3) 3·[(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·3H2 O (Ⅱ )和(H3NCH2 CH2 NH3) 2 ·[Cu(en) ][(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·5H2 O (Ⅲ )用FTIR ,NIR Raman ,紫外 可见漫反射光谱 (UV VisDRS)和荧光光谱等研究手段 ,对其进行光谱研究 ,探讨其结构和性能的关系。在这些化合物中 ,化合物Ⅰ和Ⅱ具有孤立的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元 ,而化合物Ⅲ的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元是由 [Cuen]基团桥联成链 ;磷钼酸盐的特征振动频率和这些化合物的结构相关 ;UV VisDRS显示 ,在 2 0 0和 2 6 0nm左右有两个杂多化合物的特征吸收谱带 ;化合物的稳态荧光光谱中 ,观察到以 2 4 0nm激发 ,在大约 4 0 0nm附近出现的由金属氧簇Oμ→Mo跃迁激发所引起的较强的发射峰 ,在化合物 (Ⅲ )中 ,还观察到通过 [Cuen]的荷移跃迁的以 5 70nm激发所产生的 6 0 4nm的发射峰。 相似文献
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<正>飞兆半导体公司推出一款USB 2.0开关——FSUSB30,在现今日趋小型化和复杂化的电子产品中,能够最大程度地节省线路板空间,并拥有最佳的下载性能。FSUSB30在尺寸极小(1.4mm×1.8mm×0.55mm)的UMLP封装中集成了业界领先的带宽(>720MHz)、低导通电容(6pF)以及最高的ESD保护(8kV)功能,从而实现高数据传输率、更小的ESD效应及出色的信号完整性。 相似文献
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