Influences of Interface States on Resistive Switching Properties of TiOx with Different Electrodes

Different TiOx thin films prepared by graded or sufficient oxidization of Ti are applied with Pt or Ag electrode in metal？insulator-metal （MIM） structures for studying the properties and mechanisms of resistive switching. The differences on the mobile oxygen vacancies in TiOx films and different work functions of the electrode films result in different insulator-metal interface states, which are displayed as ohmic-like or non-ohmic contact. Based on the interface states, the electrical models for MIM devices are analyzed and extracted. The electrode-limited effect and the bulk-limited effect can be unified to explain the mechanisms for resistive switching behavior as the dominant effect respectively in various conditions. All the current-voltage curves of the four kinds of specimens measured in the experiments can be explained and proved in accordance with the theory.     

Effect of Annealing on Microstructure and Electrical Characteristics of Doped Poly （3-Hexylthiophene） Films

The effect of annealing on the microstructure and electrical characteristics of poly （3-hexylthiophene） （P3HT） films doped with very small amounts of the electron acceptor 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane （F4-TCNQ） is studied. X-ray diffraction and UV-vis spectrum studies show that unlike the pure P3HT film, the thermal treatment on the doped fihns under an Ar atmosphere can effectively enhance the crystalline order of P3HT films, as well as successfully facilitate the orientation of the polymer chains. This improvement is attributed to the electrostatic force between P3HT and F4-TCNQ molecules. This force induces the polymer chains to crystallize and orient during the annealing process. As a result, annealing significantly improves performance, especially for the Ion/Ioff ratio of the TFTs based on the doped P3HT films.     

微波电路用共面电极TaNx薄膜片式电阻器

采用反应溅射方法制作TaNx电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极。研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性。结果显示,溅射工作真空度小于0.5Pa,氮气体积分数大于5%时,可以得到阻值稳定的六方晶体结构TaNx电阻薄膜,其共面电极的电阻器使用频率上限大于20GHz。     

通讯设备过流保护用PTC元件的研制

采用电子陶瓷工艺,制备了(Ba0.960Sr0.040Ca0.060)Ti1.044O3+x系过流保护用PTC元件。用SEM、失效模式测试仪等研究了特殊热处理和化学处理对其PTC特性的影响,同时实现了用Al电极代替Ag-Zn欧姆电极。结果表明:该工艺所制元件抗电强度高于600V/mm、耐电压高于950V,失效模式、高压感应性能符合国内55Ω过流保护PTC元件有关规范。     

飞思卡尔触摸传感器实现新的应用

概述 有了接近式触摸传感器,按字面意思理解就是没有按压操作了.因为它们是触摸式按钮,而不是按压式按钮.在任何情况下,接近式触摸传感器都没有移动部件.没有弹簧,没有敲击,没有跳动的键帽.而且,它们可以满足任何空间要求.没有任何突出的东西,因此开发人员可以将它们直接安装在设计轮廓上.     

表面处理对FED薄膜型金属电极性能的影响

针对场致发射显示器（FED）金属薄膜与玻璃附着力的特性,提出一种超声清洗和UV清洗相结合技术应用于薄膜型金属电极表面清洁处理。本文分析了超声清洗和UV清洗的基本原理．利用绿灯观测装置和大面积视频显微镜检测不同超声清洗时间和频率以及UV清洗对金属电极质量的影响,利用场发射测试系统测试经表面处理前后的金属薄膜电极性能。实验结果表明,FED金属薄膜电极在32kHz超声清洗10min,Uv光清洗5min后,电极表面干净,无尘埃和有机污物,金属膜层不脱落。显示器场发射性能稳定。     

薄层方块电阻宽电极测试方法

设计一种用宽电极测试薄层方块电阻的方法,给出理论分析和实验结果,该方法可以作为对四探针方块电阻测试仪进行校对的原始方法．也可以开发为一个大学物理设计性实验。     

PDLC膜的电光特性实验

设计对面／共面两用电极,制备聚合物分散液晶（PDLC）膜样品,用偏光显微镜观察液晶微滴形态,在不加电场的关态测试雾度,在施加电场的开态测试透光率随电压变化的电光特性。实验测得雾度约为H=93％,对面电板电场下透光率最大约为T=84％,共面电极电场下透光率最大约为T=82％。对PDLC膜电光特性给出新的认识。     

PHOLED显示技术

PHOLED的诞生 PHOLED(磷光有机发光器件)是有机发光二极管(OLED)的一种,它的效率可以高达传统荧光OLED的4倍.OLED是单片固态器件,通常由被两层薄膜导电电极夹在中间的一系列有机薄膜组成.如果在OLED上加电,导电载流子(空穴和电子)将从电极注入到有机薄膜.然后,在电场的作用下,这些载流子在器件内部迁移,直到复合形成激子.一旦形成,这些激子或激发态,将通过发光和/或发热的方式下降到较低的能级.     

中科院长春应化所创新传感器电极制备方法

近日．中科院长春应用化学研究所研制的“全氟磺酸离子交换膜电极的制备方法”获国家专利授权。这一发明创新了一种改进的传感器电极制备方法,是研发具有自主知识产权的电化学气体传感器核心技术的一项新突破。