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101.
金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用磁控溅射产生金属Cu团簇,同时蒸发半导体介质CdS,将Cu团簇包埋在CdS介质中,制备出金属颗粒 半导体膜.团簇大小可通过改变溅射气压控制.用TEM研究了嵌埋团簇的结构.分析表明:CdS很好地包埋了Cu团簇,都呈多晶结构;团簇尺寸在5—20nm,Cu晶格发生了膨胀,膨胀量在7%左右 关键词:  相似文献   
102.
刘乃墉 《光谱实验室》1991,8(1):110-114
本文介绍利用WPG-100型平面光栅光谱仪检测和判别来自柴油机油箱滤网的各种金属碎片成份的原理和方法,通过大量的检测判断结果与柴油机经判断后进行拆检情况对照,说明采用光谱定性(半定量)分析方法能快速、准确分析金属碎片成份,判定碎片的材质来源,是指导柴油机检修、分析处理柴油机技术状态提供非常有用信息的一种有效检测手段。  相似文献   
103.
 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。  相似文献   
104.
解决无线寻呼发射干扰方法浅析   总被引:1,自引:1,他引:0  
王少南 《无线电工程》1998,28(6):57-58,63
本文介绍分析了在目前日益恶化的电磁环境下怎样解决无线寻呼发射的干扰问题。  相似文献   
105.
106.
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。  相似文献   
107.
SDH中泊松分布下误块率与误码率的关系分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文较详细地介绍了SDH中的BIP误码校验方式,推导了泊松分布下,BIP误块率与误码率的一般关系式,给出了SDH中几种典型的误块率与误码率的关系曲线,并做了计算机模拟验证  相似文献   
108.
109.
合成了多金属氧酸盐α-Na6H[GeW9Fe3(H2O)3O37]16H2O,通过元素分析、红外、紫外、光电子能谱、极谱和穆斯堡尔谱等手段进行了表征,并讨论和研究了该配合物的谱学性质。  相似文献   
110.
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