GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验

研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.     

S波段50KW脉冲功率行波管

本文阐述了S波段50kW荫影栅栅控脉冲功率行波管(649)的研制,着重阐述了环杆结构。给出行波管性能参数的实际数据以及产生和设计考虑四种高频振荡及解决措施,尤其在枪区振荡引起非正常频谱。实验证明环杆结构在高功率下应用的可行性。     

用微电子测试结构研究超薄栅介质的可靠性

本文介绍了几种新颖的微电子测试结构及其应用,诸如栅氧化物可靠性评估、薄介质层击穿以及预示MOS绝缘层的边缘效应.同时讨论了超薄栅介质层的可靠性.     

不同负冲角工况下透平叶栅二次流的数值模拟及分析

本文应用TVD格式和Baldwin－Lomax代数紊流模型求解三维NS方程，对一个透平直列叶栅流场在两个不同的负冲角工况下进行了数值模拟，给出了叶栅马蹄涡及其分离鞍点、通道涡、角涡等二次流涡系的结构及其产生发展过程，并对不同工况下的涡系结构及冲角的影响作了详细的分析和比较．本文结果有助于对叶栅二次流涡系结构的产生发展机制的深入了解，同时表明所用数值求解技术有较高的精度和分辨率。     

带宽为O.84 nm色散补偿100 km以上线性啁啾光纤Bragg光栅的研制

本文用传输矩阵法分析了啁啾Ｂｒａｇｇ光纤光栅的反射谱特性及时延特性,同时给出了用１４２ｍｍ长相位掩模板和扩束技术研制的色散补偿线性啁啾Ｂｒａｇｇ光纤光栅的反射谱特性及传输实验结果．实验研制的线性啁啾Ｂｒａｇｇ光纤光栅样品带宽为０．５６~０．８４ｎｍ,可实现对普通光纤色散补偿１００ｋｍ以上．     

Flash memory中的叠栅腐蚀工艺

本文主要介绍了 Intel 式 Flash memory 单元结构的叠栅自对准腐蚀工艺和有关的叠栅腐蚀原理,分析了 Flash 叠栅自对准腐蚀对 Flash 性能的重要性。     

一种新型偏置栅MOS 管漂移区表面电压 和电场的分析模型

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型，借助数学推导得到该模型的计算方程，通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系，同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法。     

CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路设计

采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD导致的栅氧化层损伤的微观机制.     

深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法

研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于L-M(Levenberg-Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取策略,并对可靠性模型参数进行优化提取.分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法.最后,给出了最优化参数提取的结果,并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.