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161.
一种高增益宽频带的增益自举运算放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA).整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅.该设计采用UMC 0.18μm CMOS工艺,版图面积为320μm×260μm.仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz·pF/mA. 相似文献
162.
163.
设计了一种低温漂系数的共源共栅CMOS带隙基准源,采用自偏置共源共栅结构,提高了电路的电源抑制比,降低了电路的工作电源电压。采用不同温度下从输出支路抽取不同值电流的电路结构,在低温段抽取一个正温度系数电流,在高温段再注入一个较小值的正温度系数电流,达到降低温漂系数的目的。在0.5 μm CMOS工艺下,Cadence Spectre电路仿真的结果表明,温度特性得到了较大改善,在-35℃~125℃温度范围内,带隙基准源的温漂系数为1.5 ×10-6 /℃,电源抑制比为65 dB。 相似文献
164.
提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构,分析了三种结构的小信号等效电路,得到传递函数和零点、极点的位置,以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比,能用更小的芯片面积实现更优的运放性能,得到更大的单位增益带宽积和相位裕度,实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对电路进行仿真,结果验证了共源共栅米勒补偿技术的优越性。 相似文献
165.
166.
167.
168.
提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻.采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计.结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%.在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGT LDMOS的比导通电阻下降了35.4%. 相似文献
169.
170.
设计了一种高性能BCMOS全差分运算放大器.该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗和负载电容条件下,与传统CM0S增益增强型运算放大器相比,具有高单位增益带宽、高摆率及相位裕度改善的特点.在Cadence环境下,基于Jazz 0.35μm BiCMOS标准工艺模型,对电路进行Spectre仿真.在5 V电源电压下,驱动6pF 负载时,获得开环增益为115.3 dB、单位增益带宽为161.7 MHz、开环相位裕度为77.3°、摆率为327.0 V/μm、直流功耗(电流)为1.5 mA. 相似文献