一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器的设计

本文设计了一种低压低功耗CMOS折叠一共源共栅运算放大器.该运放的输入级采用折叠-共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;由于采用AB类推挽输出级,实现了全摆幅输出,并且大大降低了功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,基于BSIM3V3 Spice模型,用Hspice对整个电路进行仿真,结果表明:与传统结构相比,此结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低,非常适合于低压低功耗应用.目前,该放大器已应用于14位∑-△模/数转换电路的设计中.     

肋栅真空荧光显示器图形设计基础

讨论了肋栅的工作原理，建立了圆环形栅极的数学模型，定性分析了沿阳栅两电极中轴线的电场分布，指出通过调整器件的有关参数，总能在通过图形的轴线上找到合成电场强度为零的点，使得肋栅控制阳极的显示得以实现。结合实验结果，介绍了各种图形的设计方法和注意事项。     

DF100A短波发射机被调级帘栅极供电的调整

本文主要说明DF100A短波广播发射机的被调级帘栅极供电的原理及调试方法,结合调机过程中出现的技术问题深入分析,采用的解决方法,供同行参考。     

国产无截获栅控行波管的特点及测试

本文介绍的无截获栅(也叫阴影栅、屏蔽栅等)控行波管,具有增益高、频带宽、效率高、占空比大、体积小、重量轻、可靠性高和寿命长等特点,满足了空用条件的要求;叙述了大功率行波管的测试方法、步骤及测试中应注意的一些问题,并附有测试的增益一频率特性曲线;文章对行波管的调频噪声进行了初步计算;最后将国产无截获栅控行波管的性能与国外几种具有代表性的同类型行波管进行了比较、从而显示出我国在研制高占空比无截获栅控耦合腔大功率行波管方面的技术水平。     

IGBT驱动器输出性能的计算

今天,绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在电力电子领域已经普及,并被用于许多应用中,如变频器、电源和电子驱动器。IGBT具有较高的反向电压（高达6.5 kV）,开关电流最大可达3 kA。除功率模块自身外,电力电子系统中的一个关键组件是IGBT驱动器,它是功率晶体管和控制器之间重要的接口。     

回字形抗辐射环栅LDMOS建模与验证

介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势,并结合Sentaurus仿真结果,通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压,给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18 μm BCD工艺下流片,测试结果表明,理论模型在一定栅压范围内误差可低于10%。在总剂量测试中,关态泄漏电流随剂量增加变化较小,有一定的抗辐射加固能力。