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31.
尽管许多科学史家对于那些为数不多的物理学大师经商一事,仅仅是只言片语,或者缄口不言、讳莫如深,但笔者为了“把凝固的文化激活”,特以艾萨克·牛顿(IssacNewton,1642~1727)和路易·奈尔(LouisEug埁neF啨lisN啨el,1904~2000)为例,简要谈谈著名物理学家经商的故事,并由此引发了一番深沉的反思。牛顿经商的目的“站在巨人肩上”的英国大物理学家牛顿,自从于1667年春重返剑桥大学,经过多年研究后,虽然在经典力学、光学等领域内作出了卓越的贡献,但仍然过着紧巴巴的日子。 相似文献
32.
Viscosities and liquid structure of alloys Cu75Al25, Cu87Sn13 and Al-12.5%Si and pure metals Cu and Sn are investigated by using torsional oscillation viscometry and high temperature x-ray diffractometry. The viscosities of pure metals and eutectic alloy melts along with the short-range order structure are found to follow the Arrhenius law in a wide range of temperature above the liquidus. The breakpoints in Arrhenius plots emerge when the structures of alloy melts are transformed from the medium-range order structure to the short-range order structure. It has been found that the change of the viscosity of the metallic alloys is a characteristic of microstructure transformation in the related melts. 相似文献
33.
34.
35.
高发射率节能涂料及其应用 总被引:19,自引:0,他引:19
讨论了高发射率涂料节能的条件,了一种在1000℃仍保持高发射率的优质涂料,并解决了涂料与金属基体的粘结工艺,用此涂料制成增强辐射电阻带和复合炉衬,得到的新炉比旧炉节能20-40%。 相似文献
36.
单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率 总被引:9,自引:0,他引:9
本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。 相似文献
37.
陈贵民 《国际广播电视技术》1996,10(6):46-50
文章介绍了录音、录像磁带技术今后的发展动向。叙述了涂布型磁带、金属磁带、录音录像磁带用诸材料、磁带特性的变迁、高密度记录的实现和磁记录的界限。 相似文献
38.
用闪光蒸镀法在77K制备了NdxFe1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。 相似文献
39.
对结构难熔金属,如钨、钽、铪及其合金的高应变速率行为进行了评述。钨、钽及其合金有显著的速率敏感性,而铪很少有或没有速率敏感性。单晶及(100)取向织构钨具有极佳延性,而(110)取向织构钨则以典型的脆性方式断裂。钨重合金(WHA)具有中等延性,而且在高应变速率下发生应变局部化。钽具有中等到上等的延性但其变形高度依赖于初始加工织构。铪的延性极佳且在很宽的应变速率范围易于局部化。难熔金属的宏观高应变速 相似文献
40.