自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

细菌驱动微转子马达

日本国家高级工业科学与技术研究所的一个研究组正在利用快速移动的细菌来驱动微转子马达，这是第一个在无机材料中加进了细菌的微机械器件。这种生物分子马达能比传统的马达更有效的将化学能转化为机械能，还能在大型结构中发挥自修复和自组织的潜能，有望用在微型机器人和微小电子系统中。     

美国国家半导体产品概览

发光二极管灯光管理系统；低功率的发光二极管灯光系统；高功率灯光系统。     

利用补充分组编码降低MIMO-OFDM系统峰均比

多输入多输出正交频分复用（MIMO—OH）M）系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点，而OFDM系统产生的高峰均功率比（PAPR）是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理，并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较，验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。     

Dallas Semi推出高性能大容量温度数据记录器

Dallas Semiconductor公司近日推出高性能温度数据记录器——DS2422，该器件专为那些不适合采用标准Thermochron iButton器件的应用场合而设计。DS2422具有Thermochron DS1922L相同的性能，而DS2422采用24引脚300mil的SO封装形式，便于集成在产品或系统中。     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。     

应用数字PWM器件SA4828的大功率直流电源

本文介绍一种智能型、高精度PWR控制器SA4828，其控制实行全数字化产生三相脉宽调制波形．本文采用此器件设计大功率直流电源应用于22KW直流电机测试，对感性负载表现出具有纹波小，响应迅速、硬件电路简洁、控制简单易于编写的优点。     

OCT图像散斑的形成机理和清除方法

根据光相干层析成像（OCT）的光学和光电检测系统特点，结合现有的理论模型，分析了OCT成像和散斑形成机理。指出失去相干性的多次散射光部分会被滤波电路排除，散斑是由高散射组织相干长度之内的不同散射截面上的若干具有nπ光程差的相干散射光彼此叠加形成的。最后讨论了消除散斑的方法。     

基于对地观测激光回波特征的目标特性研究

本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型，分析了分类地面目标的激光回波特征，提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。