基于量子索引图像的SoC信息隐藏技术

针对量子索引图像在量子计算机信息安全领域中的应用问题,本文提出一种基于分量和(sum of components, SoC)的量子索引图像信息隐藏算法。量子索引图像包括数据矩阵和调色板2种数据结构。基于SoC的量子索引图像信息隐藏算法首先根据颜色值分量和的奇偶性(1或0)和颜色值距离,为量子调色板中每一个颜色匹配一个符合条件的颜色组成颜色对;嵌入消息时,根据颜色对和消息比特对量子数据矩阵的像素索引值进行更新;提取消息时,量子索引图像每个像素颜色值分量和的奇偶性即为嵌入的消息,属于盲提取算法。此方法可在未来量子计算机上执行。根据经典计算机上的仿真结果从视觉质量、嵌入容量、鲁棒性和安全性4个方面验证了该方法的有效性。      

强激光驱动器能源系统瞬态特征实时测控系统研究

随着惯性约束核聚变研究的发展．强激光驱动器能源系统的研究备受关注。为了向激光驱动能源系统传输效率的研究提供可靠的实验数据．研究了强激光驱动器能源系统中氙灯瞬态放电特征数据进行实时检测的方法和测控系统结构。采用量化传输模式进行特征量的检测与传输，既实现了高压隔离，又避免了在远距离传输过程中受到干扰，确保测量精度。配合系统的模块化设计，采用多线程工作模式，对计算机系统的控制功能进行工作线程划分，提高了系统的实时性和协调性。实验表明，系统有效地实现了弱电系统对强电系统的远程控制．测量精度满足测量要求，已成功应用于能源系统的实验研究。     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

基于上下文相似度和社会网络的移动服务推荐方法

针对传统的基于协同过滤的移动服务推荐方法存在的数据稀疏性和用户冷启动问题,提出一种基于上下文相似度和社会网络的移动服务推荐方法(Context-similarity and Social-network based Mobile Service Recommendation,CSMSR).该方法将基于用户的上下文相似度引入个性化服务推荐过程,并挖掘由移动用户虚拟交互构成的社会关系网络,按照信任度选取信任用户;然后结合基于用户评分相似度计算发现的近邻,分别从相似用户和信任用户中选择相应的邻居用户,对目标用户进行偏好预测和推荐.实验表明,与已有的服务推荐方法TNCF、SRMTC及CF-DNC相比,CSMSR方法有效地缓解数据稀疏性并提高推荐准确率,有利于发现用户感兴趣的服务,提升用户个性化服务体验.     

Bio-Chip-Mask优化设计计算案例

站在微电子领域,审视生物芯片中的可行性研究课题,光诱导原位合成掩膜版的优化设计是一个很值得重视的研究方向.早期使用贪婪算法,但这种算法运算时间长且成本较高,本文提出的矩形分割算法既可减少运算时间又能降低成本,大约优化28%的掩膜版数量.     

球解码的改进算法

文中首先对MIMO系统启发式算法中的BLAST算法和球解码(CL算法)进行了研究.然后,在前面介绍的相关知识基础上,提出了一种新的球解码算法.该改进算结合BLAST算法计算量小和球解码算法(CL算法)误码性能好的优点而提出的.改进算法在牺牲一定误码性能的情况下,换取算法计算量的大幅度下降.仿真结果表明了这种改进算法的有效性.     

输气管道内检测器的流场计算

为了得到输气管道内检测器在不同位置.不同的泄流孔面积下的速度变化规律、泄流孔大小与推力(压差)的关系,根据内检测器的机械结构建立了仿真模型.应用剪切应力输运模型及计算流体动力学软件ICEM CFD11.0和ANSYS CFX11.0,分别对泄流面积为管道截面积的25%,10%,5%的模型(100米长的管道),分别在管长的2/10、5/10、8/10处进行计算.实验得到了内检测器在不同位置,不同泄流孔面积下湍动能残差、湍流频率残差、轴向动量残差的变化规律及泄流孔上下游的压力差,为了解内检测器的速度变化规律奠定了理论基础.     

Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.     

9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列

报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.     

磁场中准二维强耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和改进的LLP变分法,研究了磁场中无限势垒量子阱内电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态,得到了磁极化子的振动频率和自陷能随量子阱宽和磁场变化的规律.对CdF2/AgCl量子阱进行了数值计算,结果表明,磁极化子的振动频率和自陷能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,但不同支声子与电子和磁场相互作用对磁极化子的振动频率和自陷能的贡献大不相同.此外,对以上现象进行了分析和解释.