新一代SDH节点技术的演进及其在网络中的应用

文章阐述了SDH节点技术的演进,目前网络对节点设备的基本要求,指出MSTP是目前城域网建设优化的主导技术。给出了MSTP多业务平台的几种应用,分析了衡量设备性能的几个关键要点及建设参考意见。     

Improved Performance of Solid-State Gratzel Solar Cell by Cosensitization of Quantum Dot and Dye

We report a new cosensitization utilizing quantum dot (QD) PbS and Cis-(SCN)2Bis(2,2‘-bipyridyl-4,4‘-dicarboxylate) ruthenium (N3) dye on the nanoporous Ti02 film. Solid-state Gratzel solar cells with the cosensitized films show an improved overall efficiency by 200% relative to the cells assembled with only N3 sensitization and an extremely high open-circuit voltage of 840mV, and a fill factor of 70.5~. Back reaction characteristics of the above cells are also investigated, demonstrating a great suppression of recombination due to cosensitization. It seems that the cosensitization also facilitates the electron injection into the conduction band of TiO2.     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱

将DLTS用于对InAs/GaAsQD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE)、QD能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据.结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能     

关于NF-环的构造

研究了无限的ＮＦ－环及有限的ＮＦ－环，并且给出了有限ＮＦ－环的构造．     

光抽运双光子激光朗之万量子理论

本文采用朗之万量子理论获得光抽运双光子激光具有双光子损耗时的朗之万方程,进一步获得稳态平均光子数、频率牵引、线宽和动态斯塔克效应,对激光增益来源的分析表明,非相干抽运仅有单双光子两步过程有贡献,而相干抽运,除上述过程外还有单双光子一步过程有贡献,而且,上述两个过程都受到负反馈和饱和因子的制约,线宽与稳态平均光子数无关。 关键词：