InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN．形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明：InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥，其密度约10^11cm^-2。室温下，InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明，用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜．有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。     

定域内对称和规范场--为杨-米尔斯场五十周年而作

文章为杨-米尔斯的历史性论文发表50年而写，扼要阐述非阿贝尔规范场理论这篇原创论文的主要思想和它的巨大影响。     

用变分法研究FK模型的量子特性

到目前为止，人们对ＦＫ模型和ＣＩ相变的量子效应知之甚少。本文提供了一种适用于这方面研究的有效方法－－变分法。     

多量子阱波导的传输和色散特性

本文用Floquet理论分析了多量子阱(阱垒数N>>1)波导的传输和色散特性,给出了适用于TE和TM两种偏振态的等效三层平板波导芯子折射率的解析公式,该公式清楚地说明了多量子阱波导的本征双折射行为。     

夹心式a—Si：H光阴极

为了提高a-Si:H光电发射的量子效率，设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O，并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究，它的光谱响应复盖整个可见光区，长玻限在0.82um，知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关，在15V偏压下，积分灵敏度为30um/Lm，峰值量子效率为2.1%。     

量子体系演化的几何相位

量子体系在演化过程中,其状态的时间演化因子除众所周知的由系统能谱决定的动力学相位因子外,还会出现与系统演化路径有关的几何相位因子即Berry相位因子。几何相位的存在已为大量实验所证实,在理论上,已确定了其数学基础是纤维丛理论,并发现它与规范场有某些联系。本文评述了有关几何相位研究工作的进展。     

新型量子器件—共振隧穿二极管和三极管的原理及应用前景

量子器件是近年来电子器件研制的一个前沿领域．本文从电子共振隧穿双势垒的基本概念出发，介绍在此基础上发展起来的一类重要的量子器件，即量子共振隧穿二极管和三极管的基本原理．现在巳有可在室温下工作的这类器件原型，本文以两个具体的实例说明这类新型量子器件作为功能性器件的巨大潜力．     

海森堡和量子统一场论

 古希腊有位作家名叫阿泰拉奥斯(约公元2～3世纪),他曾写了一个故事,说的是埃及法老泰俄斯原以为斯巴达王阿革西拉乌斯一定相貌堂堂,一表人才.