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61.
张福甲  刘凤敏 《半导体光电》1997,18(6):375-379,425
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。  相似文献   
62.
冯芒  高克林 《物理》1998,27(10):587-592
通过介绍量子计算的基本概念和特点,并对比目前人们使用的计算机的计算方式,对于如何利用囚禁在离子阱中的超冷离子进行量子计算作了简要的叙述.  相似文献   
63.
纳米硅量子线的发现与研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
俞大鹏 《物理》1998,27(4):193-195
一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域.文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线(SiNWs)的方法,介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果.纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景.  相似文献   
64.
压缩迭加态及其特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
董传华  缪连元 《光学学报》1995,15(12):657-1662
压缩迭加态是由迭加态通过压缩系统后产生的一种辐射经典态。这种具备了Wigner相空间压缩和相干迭加压缩两种机制。详细讨论了这种压缩迭加态的量子统计性质及压缩特性。  相似文献   
65.
叙述了自发参量下转换制备双光子纠缠态技术的发展历程、技术原理以及在量子信息学中的应用,并介绍了国内这一领域的进展。  相似文献   
66.
We study the degree to which quantum entanglement survives when a three-qubit entangled state is copied by using local and non-local processes,respectively,and investigate iterating quantum copying for the three-qubit system.There may exist inter-three-qubit entanglement and inter-two-qubit entanglement for the three-qubit system.We show that both local and non-local copying processes degrade quantum entanglement in the three-particle system due to a residual correlation between the copied output and the copying machine.we also show that the inter-two-qubit entanglement is preserved better than the inter-three-qubit entanglement in the local cloning process.We find that non-local cloning is much more efficient than the local copying for broadcasting entanglement,and output state via non-local cloning exhiits the fidelity better than local cloning.  相似文献   
67.
给出了具有二三个量是的In1-xGaxAsyP1-y/InP张应变量子阱材料的光荧光谱及x射线双晶衍射摇摆曲线,指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系,理论计算和实测结果基本一致。  相似文献   
68.
1.3μm应变MQW增益耦合的DFB激光器,在温度高达120℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应,使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率,从而使激射波长保持了稳定,通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐,使阀值电流受温度的影响很小,这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内(取决于失谐值),能实现无限特性温度T0。  相似文献   
69.
分子振动态及其跃迁的激光相干控制   总被引:2,自引:0,他引:2  
讨论了激光合成相干叠加态的原理及其性质 ,针对 XY2 型分子 ,证明了合成局域模振动的可行性 ,然后给出相干叠加态的跃迁几率特征 ,发现它仍表现出相干的特性 ,对之进行分析研究表明 ,分子的振动态具有可控性 ,态跃迁几率具有可控性。  相似文献   
70.
描述用SOI技术制造的光耦合MOS继电器和多量子阱长波和红外探测器,以及集成异质结晶体管和激光二管于一体的高增益,高灵敏的光电子开关器件,文中着重介绍这些器件的结构,制造工和器件特性,并对其进行了讨论。  相似文献   
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