Switchable Q-switched and laser operating mode-locked erbium-doped fiber in the L-band region

We demonstrate a switchable Q-switched and mode-locked erbium-doped fiber laser （EDFL） operating in the L-band region using the nonlinear polarization rotation effect. The switching operation is achieved by controlling intensity-dependent loss using a polarization controller. In Q-switching mode, the EDFL produces a pulse train with a repetition rate of 21.1 kHz, pulse width of 7.7 #s, and pulse energy of 13.6 nJ. The EDFL also generates a multi-wavelength comb with a very narrow and constant wavelength spacing of 0.045 nm and optical signal-to-noise ratio of at least l0 dB. During mode locking, the EDFL produces stretched pulses with 3-dB bandwidth of 26.2 nm, pulse width of 350 fs, repetition rate of 2.38 MHz, and pulse energy of 48.56 pJ.     

1-2降压型双桥臂AC-AC开关电容变换器的研究

摘要：开关电容变换器一直是一个重要的研究领域。近年来,随着交流场合应用的需要,AC-AC开关电容变换器在逐渐发展,主要集中在单桥臂的研究,对于双桥臂的研究较少,尤其在高频工作过程方面还有待发展。通过对各种直流、单相交流开关电容变换器的研究,发现所研究的开关电容变换器主要集中在单桥臂实验波形、效率和等效电阻的分析,由于双桥臂的电路结构、工作过程比单桥臂要复杂,对其暂态工作过程的研究很少,而开关电容变换器的工作过程和等效电阻的研究对设计双桥臂开关电容变换器以及提高电路的稳态特性有着重要作用。为了更好的提升电路的性能和稳态特性,对1-2型双桥臂开关电容变换器在低频、高频的工作过程和换向过程进行了深入研究,给出了开关电容变换器的控制驱动方式,并通过高频分析进行暂态建模得到了等效内阻的表达式。最后通过仿真对分析结果进行了验证。     

改进型非对称Y分叉内全反射光开关特性分析

提出一种改进型非对称Y分叉内全反射光开关,较详细地分析了结构参量对光开关消光比和损耗的影响,优化设计后开关的消光比可大幅度提高,并给出了一种优化设计的方案.     

半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析

报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为3mm的横向半绝缘GaAs 光导开关的实验结果.对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异,这种较大的差异造成开关对激光脉冲的超快响应.     

对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。     

Performance of the Self—Q—Switched Cr,Yb：YAG Laser

We report on the spectral properties of Cr,Yb:YAG crystal co-doped with 0.025 at.% Cr and 10 at.% Yb are reported.Using a continuous wave Ti:sapphire laser as a pumping source,we have demonstrated the self-Q-switched Cr,Yb:YAG laser at room temperature.We obtained an average output power as much as 75mW at 1.03μm with a pulse width (FWHM)as short as 0.4μs.The laser experiment demonstrated that the Cr,Yb:YAG crystal exactly combines the Cr^4 saturable absorber and Yb^3 gain medium.The Cr,Yb:YAG crystal can be a most promising self-Q-switched laser crystal for compact and efficient solid-state lasers.     

A Compact Vircator with Feedback Annulus Operated in Quasi—Single TM01 Mode Within the C Band

An axially extracted virtual cathode oscillator(vircator)with a feedback annulus is proposed and configured through particle-in-cell simulation.This compact device needs no guiding magnetic field.Its experimentally radiated microwave is measured to be of quasi-single TM01 mode with a frequency range of 4.41-4.69GHz and a power level of above 300MW,when the diode voltage ranges between 400-480kV and the beam current 20-25kA;this confirms the simulation results.     

新颖的PPLN电光开关

在分析基于级联二阶非线性效应的准相位匹配周期极化铌酸锂(PPLN)波导全光波长变换器的有关参量容限的基础上,提出PPLN波长变换器的电光调控设想,并给予简要论证,论证结果是可行的,从而可实施电控调谐来自动补偿其失配,进而也可实现光开关的功能 关键词： 准相位匹配 周期极化铌酸锂 波长变换 光开关 电光效应调控     

用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究

报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲，触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1 064nm Nd:YAG激光触发开关， 在偏置电压分别为3kV和5kV条件下，光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1 530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验，得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明，半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。     

绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究

 采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管（IGBT）串联，对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究；通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下，串联IGBT开关工作性能稳定，重复性好。在纯阻性负载上得到了上升时间约300ns、下降时间约164μs、峰值电压1.8kV的输出。