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给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。 相似文献
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国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污染起决定作用。由于其高的固熔度，高的可动性和两性电活性而难于控制，所以，对于过渡元素的研究... 相似文献
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据日本电子材料生产者协会，(EMAJ)统计报告称，1991年日本电子材料总产值比1990年增长了6％，达4450亿日元。其中；金属材料(包括管子、半导体材料、软磁材料，弹性材料、焊接材料，耐腐，耐热材料，电阻材料和特殊材料)和永磁材料的产值分别比1990年增长3％； 相似文献
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