磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

Lamp Metro

如果爱迪生奇迹般地活到今天，他可能打死也不会相信Lamp Metro会是一只灯。像卷透明胶布的Lamp Metro由3M OLF薄膜制成．当你要使用它时．握住两头的把手将其拉直再通电．Lamp Metro就能像一只普通的日光灯管那样．存在于家里的任何一个角落了。你惟一要考虑的事就是将它放在哪里：墙上、天花板或者是地板上……     

刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。     

Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试

封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器，在计算机模拟计算的基础上，对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试，得出实物测试场发射电流曲线（开启电压低，发射电流曲线与计算机模拟曲线一样，电压45V时发射电流可达到86mA，平均每个硅尖为21μA）、压力特性曲线（呈线性变化，与计算机模拟计算的曲线相近）及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化，灵敏度为0.3μA/kPa。     

准粒子注入下超导膜能隙变化的一些计算

利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果.     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。