聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样

亚微米IC芯片的发展,对于TEM在IC的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出了越来越高的要求。许多方法和手段被用于解决TEM制样这个问题[1]。FIB技术被证明为现今最有效的精确定位制样的方法[2]。原有TEM制样技术的定位减薄难,单次制样成功率低,且对单一器件的定位能力差的难题,可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服。利用这种技术,可以完成以往难以实现的IC芯片的精密定位制样工作,使透射电镜在亚微米级IC的分析中达到实用性阶段。本文介绍该技术使用的具体方法。实验过程实验所用设备为美国fei.公司所生产的FIB200型…     

高分子材料冷冻切片的捞片技术

长期以来,在透射电镜样品制备超薄切片中,常规的捞片方法是采用带支持膜的载网收集。近年来,随着电镜的广泛应用,冷冻切片技术在高分子材料中应用也越来越广泛,由于冷冻切片技术要求较高,难度也大,切片厚度的控制是关键,否则在电镜下电子束将无法穿透过去。因此,在切片过程中,除了掌握好制样重要技术环节以外,要求尽可能采用无膜载网进行捞片,以减少电子束穿透厚度和切片的热漂移,这样才能保证获得厚度低于100nm的切片。本人经过长期的工作实践不断的摸索和总结,现将冷冻切片技术中应用无膜载网收集切片应掌握的技术介绍如下。冷冻切片样品…     

JEM-1200EX透射电镜照相系统故障分析

本文讨论了JEM-1200EX透射电镜拍片过程并对所发生的故障进行了分析。显然,这对于准确及时地排除同类型电镜故障是有益的,对于排除其它类型电镜故障也有参考价值。本文所用符号参见JEM-1200EX透射电镜电路图第17～20页。JEM-1200EX透射电镜拍片程序JEM-1200EX透射电镜拍片过程包括三个程序。第一是取片程序。当第一次按PHOTO键后,微机CPU接受终端取片请求,发指令给继电器Ry1供电。Ry1结点闭合,使传送底片马达M1供电,传动机构齿轮联动,机械手移至供片盒,并从中取出底片送至荧光屏下曝光位置。与此同时,底片到位开关S1和要求马达…     

JEM-1010型透射电镜计算机故障的检修

我所电镜室的JEM-1010型透射电子显微镜采用计算机控制系统,通过计算机可设定电镜的一些工作条件和设定照相底片记录文字,它还具有显示各工作点的数值、机内测量数值等功能,它令电镜的操作变得比较简便。在这台电镜几年的运转过程中,该计算机曾数次出现所谓“死机”的故障,电镜计算机“死机”的原因很多,现将我室电镜计算机因电器方面的故障而引起“死机”的情况介绍如下,供同行们参考。JEM-1010型透射电镜有一计算机操作显示屏,它显示电镜有关的各种数据、设定,当计算机出现“死机”时,则不能通过键盘输入指令(在显示屏上光标不移动),这…     

长期低铅染毒大鼠脾脏超微结构的观察

目的：探讨长期低铅染毒对大鼠脾脏免疫细胞超微结构的影响。方法：建立低铅染毒的大鼠模型,８周后测定血铅并应用透射电镜技术观察大鼠脾脏免疫细胞的超微结构。结果：①电镜观察,脾脏免疫细胞出现不同程度的线粒体肿胀、空泡化或固缩;内质网肿胀、脱颗粒;②以上变化均随着铅染毒剂量的增加而加重。讨论：长期低铅染毒即可导致脾脏免疫细胞的损伤,为进一步研究铅对机体免疫系统的毒性作用提供了形态学依据。     

硅基PZT铁电薄膜的界面和表面研究

用高分辨岸民镜等手段研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备的硅基Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜,发现在ＰＺＴ的上表面生成了ＳｉＯ２,ＰＺＴ与硅衬底的界面处形成了无定型的ＳｉＯｘ层并有铅的沉积,而且热处理温度越高,这种现象越显著。这些结构严重影响了ＰＺＴ铁电薄膜的品质及其应用。在分析上述结构产生机制的基础上提出了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺的改进方法。     

氧化时间对多壁纳米碳管结构与性能的影响

氧化时间对多壁纳米碳管结构与性能的影响;碳纳米管; 氧化; 透射电镜; 核磁共振; 电阻     

催化辅助爆炸法合成碳纳米管

报道了以三硝基苯酚(苦味酸,C₆H₃N₃O₇)、乙酸钴[Co(Ac)₂]和菲(C₁₄H₁₀)作为爆炸物,通过热引发方式使其在不锈钢耐高压容器中发生爆炸反应来制备多壁碳纳米管.利用TEM,HRTEM和XRD等手段对碳纳米管和催化剂的形貌和结构进行表征,综合TEM和TG测试结果确定产物中碳纳米管的含量.结果表明,随着反应条件的变化,可获得外径分布在20～40nm范围内,管长为数十微米的多壁碳纳米管.金属钴催化剂在爆炸过程中原位生成.苦味酸装填密度的增大有利于碳纳米管含量的提高,优化条件(苦味酸的装填密度为0.2g/cm³)后碳纳米管的含量可达70%左右.     

分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜晶体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着［１１１］方向倾斜一个小角度（约３°），界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了ＧａＡｓ衬底中的Ｇａ和Ａｓ向ＣｄＴｅ外扩散的情况。结果表明：如果要在ＧａＡｓ衬底上生长ＨｇＣｄＴｅ外延膜，必须先生长一层具有一定厚度的ＣｄＴｅ来阻止Ｇａ和Ａｓ向ＨｇＣｄＴｅ的外扩散和失配位错的延伸。     

透射电镜数字成像系列装置的设计

目的：探讨不同类型透射电镜数字成像装置设计方案,以实现更好性能.方法：分析现有不同类型透射电镜数字成像装置产品或设计的结构特征及其存在的主要问题,构思新的解决方案.结果：提出了包括侧装透镜、侧装光纤、底装透镜和底装光纤耦合型四种基本类型透射电镜数字成像装置新的设计方案,研制了底装大视野透镜耦合型样机并用于实际工作.结论：新的底装透镜耦合型成像装置结构独特,特别适合需要大视野的生命科学和医学等领域.