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61.
The single-longitudinal-mode Nd:GdVO4/RTiOPO4 (RTP) solid-state Green laser operation of a laser-diode (LD) end-pumped laser is realized by multi-cavities and a Brewster plate. The LD-pumped single-frequency green laser has been demonstrated by optimizing several parameters and a cavity length, with precise temperature controlling of Nd:GdV04, RTP and laser diode. When the incident pump power is 2 W at 808.4 nm, a single-frequency cw green laser at 532nm with output 210 m W is obtained, the optical-to-optical conversion efficiency is up to 10.5%. 相似文献
62.
Optical Fibre Mode Structures Measured by Collection Mode Near-Field Scanning Optical Microscopy 下载免费PDF全文
High order fibre mode structures are measured by a near-field scanning optical microscope (NSOM) and are determined to be consistent with the standard fibre LP patterns. The mode-field distortions of high-order mode LP11 and LP21 structures by far-field measurement are analysed based on scalar diffraction theory, and the maximum distortions may reach as high as 5.1% and 6.2%。 This shows that the method of using the NSOM is more accuracy than the far-field measurement method, especially for high-order mode structures of optical fibres. 相似文献
63.
64.
与电功率反馈控制信息相比,偏振度(DOP)作为偏振模色散(PMD)动态补偿技术中的反馈控制信息在码率透明等方面有其优势.本文以准单色光理论和2×2相干矩阵为基础,推导了DOP与差分群延迟(DGD)之间的一般数学关系,推导中考虑了光脉冲波形函数、脉冲宽度、光在两个偏振主态上分光比等因素对这一关系的影响;给出了表示两偏振主态(PSP)方向上光脉冲交叠程度的相干函数;计算了当脉冲波形函数为高斯型时DOP的表示式,给出了当分光比为0.5和不同高斯脉冲宽度下光偏振度随差分群延迟变化的关系曲线.将理论计算结果与用10Gb/s的伪随机序列在归零码(RZ)下的实验测量数据进行了比较,表明在一定的DGD范围内理论计算与实验结果一致. 相似文献
65.
金属包覆平板波导模式特性的有限元法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
采用有限元法(FEM)分析了具有复数折射率的金属包覆介质波导的模折射率与模场分布情况。计算了具有损耗层的6层介质平板波导模折射率,并与解析解比较,二者有较好的一致性;分析了金属包覆3层平板波导中TM模折射率与波导芯厚度的变化关系,计算了金属包覆5层平板波导中TM模折秧经与金属层厚度的变化关系,并结合对模场分布的分析对模式进行了定性判断,给出了其模式演变过程。 相似文献
66.
67.
68.
《电子技术》1992,19(10):26-29
HP3458A8(1 / 2)位数字式万用表对A/D转换器的性能要求较高,它的自校功能要求A/D转换器分辨率达到8(1/2)位数字,积分线性度达到7(1/2)位数字,数字交流功能要求分辨率在18bit时读数速度为50000次/秒。为此HP3458A中A/D转换器采用改进的多斜率技术,使读数速度、分辨率和积分线性度都有很大提高。分辨率为16bit时的读数速度为100000次/秒。输入跟踪的偏差小于0.1ppm。一、多斜率A/D转换技术 (一)双斜率A/D转换技术双斜率技术是一种较为简单的积分式A/D转换技术。图1所示的是实现双斜率A/D转换的一种简单电路。 相似文献
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A/D、D/A转换器、运算放大器、模拟开关等是很多电子设备及仪器必不可少的器件。它们工作时,除了需要正电源外,大多还需要负电源,而一些电子设备,有时限于条件(主要是出于功耗、体积、重量等方面的考虑),为这些芯片再提供一个负电压有困难。为解决这个矛盾,INTERSIL公司推出了一种型号为ICL7660的通用型集成负直流电压变换器,它的外围电路十分 相似文献
70.
采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成. 相似文献