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《电子技术与软件工程》2016,(18)
针对传统插值算法导致的图像边缘模糊和运算复杂问题,本文基于逆梯度权重提出一种有效的边缘保持的图像插值算法,实验结果表明,该方法可有效提高插值后的图像质量。 相似文献
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基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓度的变化,建立了电流崩塌效应的逆压电效应数值仿真模型。理论模拟显示:逆压电效应是引起电流崩塌效应的一个因素。根据GaN欧姆接触的机理,提出采用源漏凹槽的结构减小电场的垂直分量,抑制逆压电效应,减小饱和电流的变化。设计了不同结构的源漏凹槽结构器件,并进行工艺流片验证,得到优化的器件结构,器件的电流崩塌量从15.7%减小到8.9%,验证了理论仿真结果。 相似文献
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扼要介绍了声子比热和黑体辐射的逆问题,以及陈难先用数论莫比乌斯反演定理给出的解.英国《自然》(Nature)杂志主编玛多仕对陈难先这个工作的长篇评论,对促成和推动这一领域随后20年来的快速发展起了重要的作用. 相似文献