新型碱性精抛液对300mm铜膜全局平坦化的影响

The copper removal rate and uniformity of two types copper slurries were investigated, which was performed on the 300 mm chemical mechanical planarization （CMP） platform. The experiment results illustrate that the removal rate of the two slurries is nearly the same. Slurry A is mainly composed ofa FA/OI1 type chelating agent and the uniformity reaches to 88.32%. While the uniformity of slurry B is 96.68%, which is mainly composed of a FA/OV type chelating agent. This phenomenon demonstrates that under the same process conditions, the uniformity of different slurries is vastly different. The CMP performance was evaluated in terms of the dishing and erosion values. In this paper, the relationship between the uniformity and the planarization was deeply analyzed, which is mainly based on the endpoint detection mechanism. The experiment results reveal that the slurry with good uniformity has low dishing and erosion. The slurry with bad uniformity, by contract, increases Cu dishing significantly and causes copper loss in the recessed region. Therefore, the following conclusions are drawn： slurry B can improve the wafer leveling efficiently and minimize the resistance and current density along the line, which is helpful to improve the device yield and product reliability. This investigation provides a guide to improve the uniformity and achieve the global and local planarization. It is very significant to meet the requirements for 22 nm technology nodes and control the dishing and erosion efficiently.     

不同氧化退火工艺下SiO2/SiC界面特性研究

The effect of the different re-oxidation annealing （ROA） processes on the SiO2/SiC interface charac- teristics has been investigated. With different annealing processes, the flat band voltage, effective dielectric charge density and interface trap density are obtained from the capacitance-voltage curves. It is found that the lowest interface trap density is obtained by the wet-oxidation annealing process at 1050 ℃ for 30 min, while a large num- ber of effective dielectric charges are generated. The components at the SiO2/SiC interface are analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） testing. It is found that the effective dielectric charges are generated due to the existence of the C and H atoms in the wet-oxidation annealing process.     

快速热处理中退火温度对Sol-gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响

利用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上用快速热处理(Rapid Thermal Processing,RTP)退火工艺制备出了致密的PZT铁电薄膜,主要研究了在退火时间为500s时退火温度对薄膜的结晶结构、表面形貌和铁电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和铁电测试仪对制备的薄膜进行了性能表征。研究结果表明,当退火温度为6000C时,PZT薄膜具有(111)择优取向,表面致密无裂纹,且具有较好的铁电性能(其饱和极化值约为30 C/cm2,剩余极化约为20 C/cm2,矫顽场约为150KV/cm)。在100KV/cm电场下,电流密度J在10-1A/cm2数量级,表明所制的PZT纳米薄膜质量较好,能承受较高的场强以达到饱和极化状态而不被击穿。     

注重逻辑推理,提升几何综合能力——以圆的有关知识学习为例

日常教学中,我们经常发现初中生的几何综合分析能力还有较明显的欠缺,而这一能力的提升并非一朝一夕的努力或训练就能达成的,要提高这方面的能力,需要学生充分地经历独立思考的过程.因此在教学中,需要教给学生如何从繁杂的题干信息和问题结论中分析、提取有效信息,如何从复杂的图形条件中剥离出简单的基本图形,如何根据具体条件构造有效、准确的辅助线,这些都需要在平时的教学中和学生一起经历思考、分析、总结的过程,这样学生才能积累活动经验,理解数学本质,提升综合应用能力,同时能促进逻辑推理能力的提升.     

一种求解二次约束二次规划问题的自适应全局优化算法

为了更好地解决二次约束二次规划问题(QCQP), 本文基于分支定界算法框架提出了自适应线性松弛技术, 在理论上证明了这种新的定界技术对于解决(QCQP)是可观的。文中分支操作采用条件二分法便于对矩形进行有效剖分; 通过缩减技术删除不包含全局最优解的部分区域, 以加快算法的收敛速度。最后, 通过数值结果表明提出的算法是有效可行的。     

低温退火磷吸杂工艺对低少子寿命铸造多晶硅电性能的影响

本文针对低少子寿命铸造多晶硅片进行试验, 通过一种将多温度梯度磷扩散吸杂工艺与低温退火工艺结合的新型低温退火吸杂工艺, 去除低少子寿命多晶硅片中影响其电性能的Fe杂质及部分晶体缺陷, 提高低少子寿命多晶硅所生产的太阳电池各项电性能. 通过低温退火磷扩散吸杂工艺与其他磷扩散吸杂工艺的比较, 证明了低温退火吸杂工艺具有更好的磷吸杂和修复晶体缺陷的作用. IV-measurement发现经过低温退火工艺处理后的低少子寿命多晶硅, 制备的太阳电池光电转换效率比其他实验组高0.2%, 表明该工艺能有效地提高低少子寿命多晶硅太阳电池各项电性能参数及电池质量. 本研究结果表明新型低温退火磷吸杂工艺可将低少子寿命硅片应用于大规模太阳电池生产中, 提高铸造多晶硅材料在太阳能领域的利用率, 节约铸造多晶硅的生产成本. 关键词： 低温退火 磷吸杂 低少子寿命多晶硅 太阳电池     

6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究

对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。     

As离子注入碲镉汞的p+n结红外探测器

讨论了制作pn结的另一种途径,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型p+层来获得p+n结.通过对制作工艺及实验结果的讨论,阐述了两种制作pn结工艺的特点.实验表明,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活,而不会改变HgCdTe 组份.已用此方法在注入As+的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的p+n结光伏红外探测器.     

量子体系的相空间规范变换

外尔于1918年引入的规范变换实际上是相位变换而非真正的尺度变换,但规范不变性、规范理论等概念都沿袭了下来。我们发现,针对由量子化条件[x, p]=iℏ而来的量子体系之本征值问题存在规范变换,或者说尺度变换,x → x/α,p → αp,该变换保体系的能量谱不变。量子谐振子、氢原子问题及一类多体问题的精确解析解证实了这一点。量子化条件 [x, p]=iℏ看来是个对量子力学很强的约束,不止于能量的量子化。这个规范变换提醒我们相空间的体积及其量子化才是物理的关键,这也是量子力学和统计物理在潜意识里一直沿用却未予关注的思路。有趣的是,从量子谐振子体系的相空间表述似乎不能导向这个结论。如同规范理论所断言的电磁学量在给定坐标系下的数值表征与标度无关,我们认为量子体系的物理量,如能量谱等,在给定坐标系下的数值表征亦应与标度无关。此尺度变换与德布罗意关系相恰。     

基于变分模态分解和压缩感知的弱观测条件下雷达信号重构方法

针对弱观测条件下雷达信号存在数据残损的问题,该文提出一种基于变分模态分解和压缩感知(VMD-CS)的雷达信号重构方法。首先通过变分模态分解对采样数据进行降解去噪处理,其次在压缩感知框架下构造观测矩阵、稀疏表示字典矩阵,然后基于正交追踪匹配(OMP)算法重构出稀疏表示向量。在此基础上利用离散余弦稀疏矩阵重构信号,实现对残损雷达信号的数据重构。在连续丢失数据和随机丢失数据两种情况下,对实际采集的线性调频(LFM)雷达信号进行仿真实验。实验结果表明：在数据连续丢失率不高于30%或随机丢失率不高于60%的情况下,该文方法能有效重构雷达信号,在时域、频域和瞬时频率上能够准确逼近原始信号。