FTTH规模部署下铜缆退网策略研究

在电信运营商规模化部署FTTH、积极推进光进铜退的战略目标下,文章从工作实践出发,提出了铜缆退网的思路策略,在此基础上,根据电信运营商铜缆网的现状,提出了5种铜缆退网的改造场景,并重点阐述了各种场景下退铜的实施方案。     

10G PON技术发展应用

尽管现阶段10G EPON和10G GPON标准化程度和产业链发展并不成熟,离大规模商用化部署仍然存在一定距离,但面对日益增长的宽带压力,10G EPON和10G GPON已经被公认为运营商接入网宽带提速的热门技术。文章从技术角度出发,对10G EPON和10G GPON在标准化进展、相关技术参数和产业链进程等3个方面进行了总结和分析。     

压扭性断层地震过程的Cusp型突变分析

将地震过程视为一力学系统的失稳现象,对压扭性断层地震提出了一个力学模型,导出了由线弹性围岩和具有软化特性的断层带介质组成的力学系统的势能表达式,得到了CuSp型突变模型的标准形式。用突变理论分析阐明了系统本身的几何和力学特性是系统稳定性的决定因素,外部作用是基本条件,外力作用方向对断层的稳定性和地震时所释放能量的大小起着重要作用。     

含氮给体结构对丙烯腈电荷转移光聚合的影响

<正> 对于正性烯类单体,主要是乙烯基咔唑的电荷转移聚合,诚田已作过详细综述。负性烯类单体的电荷转移聚合主要研究的单体是丙烯腈(AN)及甲基丙烯酸甲酯(MMA)。Barton等研究了芳烃为引发剂的MMA光聚合。我们研究了芳胺为引发剂的光聚合。 芳胺,尤其是芳叔胺,是较强的电子给体,与负性单体在光照下经激基复合物而引发聚合,我们的实验表明,吡啶及其同系物(喹啉与吖啶)并不象吡咯及其同系物(吲哚与咔唑)那样有效地引发AN等负性单体的光聚合(见表1)。从图1所示的结构看,它们有     

新书评介

电子陶瓷情报网编的《压电陶瓷应用》一书,于1985年8月由山东大学出版社出版.压电陶瓷是声学中广泛应用的电-声换能材料,由压电陶瓷做成的各种声学器件,是一些声学仪器、设备中的关键部件.该书从实用角度出发,对压电陶瓷在各类声学仪器中的作用、工作机理与方式等,给予了简要的说明;对一些典型的换能器,给出了设计的考虑原则、制做工艺、计算公式,并给出了具体结构的实例. 全书共分七章:第一章“在高电压发生装置中的应用”,介绍了压电陶瓷点火器、变压器、玩具遥控信号发生器、压电按扭开关等;第二章“在电声等设备上的     

浅析"光进铜退"及其应用

"光进铜退"是指在宽带接入模式上以光纤取代铜缆,加快传输速度和数据流量,同时又降低网络建设成本的一种模式.介绍了光进铜退的特点、接入模式,对光进铜退的P0N(passive optical networks)技术解决方案进行了比较,并介绍了光进铜退应用的具体案例.     

浅析退锡铅制程

文章主要介绍退锡铅制程的原理、制程问题的解决方法以及设备的设计的注意事项。     

高密度Si基半导体电容器的性能及其制作

随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。     

传统PSTN交换系统退网实施若干问题的探讨

近年来,上海电信快速推进"城市光网"建设,努力实现"智慧城市"战略,以成熟PON(无源光网络)技术为代表的新一代接入网产品得到广泛应用,而传统固网交换系统面临设备老化、维护成本高、能耗高等问题,业务持续萎缩。在此背景下,传统PSTN(公共交换电话网)交换系统的退网摆上了公司网络运行部的议事日程。文章探讨实施退网须考虑的问题,给出个人想法、建议与退网案例,提出自然退网的概念。     

LiF晶体中F+,/sup>2色心在室温下的激光运转及可调谐输出

本文把纯LiF晶体中色心激光宽带输出的转换效率提高到11%，得到了心激光的宽带输出与温度的变化曲线。实现了色心激光的波长从0.86～1.02 μm的可调谐输出，并对泵浦光作用下LiF晶体中的各种色心动力学机制进行了分析。