浅析"光进铜退"及其应用

"光进铜退"是指在宽带接入模式上以光纤取代铜缆,加快传输速度和数据流量,同时又降低网络建设成本的一种模式.介绍了光进铜退的特点、接入模式,对光进铜退的P0N(passive optical networks)技术解决方案进行了比较,并介绍了光进铜退应用的具体案例.     

浅析退锡铅制程

文章主要介绍退锡铅制程的原理、制程问题的解决方法以及设备的设计的注意事项。     

GPON的应用探究

从市场的需求现状和发展趋势来看,新兴宽带业务的不断出现,传统的铜线接入技术已经很难满足接入带宽要求,国内外运营商也在不断探索新通信环境下的接入技术应用和网络转型。XPON技术以光纤为传输媒质,采用波分复用技术,具备高接入带宽,全程无源分光传输,在管理和运维、带宽性能、综合业务提供、带宽分配策略、组网灵活性等方面,相比其他光接入技术具有明显的优势。GPON技术从传统的以太网技术演进而来,技术简单且成熟、成本较低,芯片和产品均已经成熟,并且在国内外市场上得到了一定规模的应用。     

高密度Si基半导体电容器的性能及其制作

随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。     

我国光接入网发展影响因素分析及广电对策思考

本文阐述了光接入网、当前主流及下一代无源光网络技术。同时,基于国内外光接入网及FTTH发展情况,分析了影响我国光接入网发展的主要因素,提出了广电如何发展光接入网的几点对策建议。     

超导量子比特中的量子跳跃方法

量子力学自建立以来很长一段时间被当作是描述系综运动的理论。但是上世纪80年代对囚禁离子和原子的研究观测到了量子跳跃现象,迫使人们发展了一些能够用于单量子系统的方法,其中之一就是量子跳跃方法。本文总结了我们近来把量子跳跃方法应用到以约瑟夫森隧道结为基础的超导量子比特的工作。我们不但实验观测到宏观量子系统中的量子跳跃,还可以利用量子跳跃现象来研究固体中普遍存在的两能级系统及其引起的超导量子比特中的退相干。     

量子点环嵌入Aharonov-Bohm干涉器中电子的退耦合态及反共振现象

采用Anderson模型哈密顿量和非平衡态格林函数方法对量子点环以不同构型嵌入A-B干涉器中电子输运的退耦合态及反共振现象进行了理论研究. 结果表明,量子点环A-B干涉器的结构对称性以及穿过A-B干涉器的磁通量是诱发退耦合现象的两种物理机理. 耦合量子点结构的对称性越高,体系在相干电子输运过程中表现出来的退耦合及反共振现象越明显. 而且在具有高度对称性的耦合量子点结构中,通过磁场调节体系的结构参数可以分别使第奇数或第偶数分子本征态从电极上退耦合,从而使电子输运电导表现出奇偶对等振荡现象. 这为设计纳米电子开关器件提供了一个新的物理模型. 关键词： 量子点环 A-B干涉器 退耦合 反共振     

二维拓扑绝缘体退相干效应研究

拓扑绝缘体是当前凝聚态物理研究的热点.退相干效应对该体系的影响的研究不仅有重要的理论意义,而且也是实现未来量子器件的不可或缺的前期工作.文章作者从理论上研究了退相干对二维拓扑绝缘体特别是量子自旋霍尔效应的影响.研究结果表明,作为量子自旋霍尔效应的标志的量子化纵向电阻平台对不破坏自旋记忆的退相干效应(普通退相干)不敏感,但却对破坏自旋记忆的退相干效应(自旋退相干)非常敏感.因此,该量子化平台只能在尺寸小于自旋退相干长度的介观样品中存在,从而解释了量子自旋霍尔效应实验中所观测到的结果(见Science,2007,318:766).同时,文章作者还定义了一个新的物理量,即自旋霍尔电阻,并发现该自旋霍尔电阻也有量子化平台.特别是该量子化平台对两种类型的退相干都不敏感.这说明在宏观样品中也能观测到自旋霍尔电阻的量子化平台,因此更能全面地反映量子自旋霍尔效应的拓扑特性.     

等离子体电极普克尔盒退偏损耗分析

通过对普克尔盒由于定向失误以及应力变形在静态及施加半波电压情况下引起的退偏损耗分析和计算,提出了等离子体电极普克尔盒中开关晶体的加工、装校要求以及半波电压平顶起伏指标;在静态条件下,利用研制的等离子体电极普克尔盒对普克尔盒晶体光轴与光束传播方向在不同夹角下的退偏损耗进行了测量.实验结果与计算结果基本相符.