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21.
GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理 总被引:6,自引:1,他引:6
黄云 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(3):9-14
从可靠性物理角角度,深入分析了引起砷化镓微波单片机集成电路(GaAs MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。 相似文献
22.
对不同栅氧化物n-MOSFETs的GIDL(Gate-InducedDrainLeakage)特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究.发现GIDL的漂移对栅电压十分敏感,在VG=0.5VD的应力条件下呈现最大.通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟,引入“亚界面陷阱”概念,对所涉及的机理提出了新见解,认为:在应力期间,亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于VG=0.5VD和VG=VD两种典型应力下GIDL的漂移.实验还观察到N2O氮化,特别是N2O退火NH3氮化的n-MOSFETs比常规热氧化n 相似文献
23.
24.
针对GaAsMESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了TiAl栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的经是导致器件的跨导gm、栅反向漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。 相似文献
25.
提出了一种基于图像先验和图像结构特征的盲图像复原算法,在模糊核未知的情况下,采用一系列离散化的模糊核参数对模糊图像进行非盲去卷积,得到一系列对应的复原图像。同时提出一种复原图像判决准则,对这一系列复原图像进行质量判决,从中得到最优的复原图像。最后在实验部分,通过对图像的测试表明,提出的盲图像复原算法能较准确的得到最优复原图像,复原效果在主观和客观标准上均有良好表现。 相似文献
26.
研究了在不同恒定温度应力条件下某型号驱动器的模拟集成电路的加速退化试验.首先,确定了该型驱动器的敏感参数,并建立了敏感参数的退化模型;然后,计算得到了器件在加速应力下的伪寿命;最后,利用阿伦尼斯模型对伪寿命数据进行分析,外推得到了器件的激活能及其在正常工作应力条件下的寿命信息. 相似文献
27.
图像的超分辨力复原和信噪比的提高是图像复原追求的目标.Poisson-ML图像复原方法(PML)具有很强的超分辨力复原能力,但在复原过程中会产生振荡条纹且对带噪较大的图像不能取得理想的复原效果.在Poisson和Markov分布假设的基础上,提出基于Poisson-Markov场的超分辨力图像复原算法及其正则化参数的自适应选择方法(MPML).实验表明,MPML算法不但具有很好的超分辨力复原能力,而且能有效减少和去除复原图像中的振荡条纹,对于带噪较大的图像也能取得理想的复原效果,因此其图像复原质量明显好于PML算法.正则化参数能被自动优化地选择且与图像复原的迭代运算同步进行. 相似文献
28.
29.
研究和分析了高辐射GaAlAs/GaAs LED的退化机理。经高温加速老化,估算器件的工作寿命为10~5小时,并估算该器件的激活能为0.58eV。 相似文献
30.
以石英加计伺服电路的性能退化参数为研究对象,提出了两种基于伪失效寿命和基于性能退化量分布的加速退化数据处理方法;并通过实例说明这两种方法在实际中的具体应用,为石英加计的可靠性状态监测及评估提供了支撑. 相似文献