一种高精度片内电阻校准电路设计

设计了一种适用于40 Ω~100 Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值。片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比较器比较片内和片外电阻转换的电压值,采用自适应控制电路精确调整电阻阵列开关,使得片内电阻的阻值与片外基准电阻的阻值相等。电路基于40 nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,比较器的电压比较阈值最小为2 mV,电路实现40 Ω~100 Ω内电阻阻值可调节,校准误差小于2%。     

基于压电陶瓷神经网络模型的模型抑振研究

为达到在脉动气流激励下抑制风洞模型振动的目的,该文提出了基于压电陶瓷作动器神经网络模型的风洞模型主动振动控制方法,并进行了实验研究。首先,分析了风洞模型系统振动特性,建立了内嵌式压电陶瓷作动器的主动振动控制系统,通过模型质心加速度推算出压电陶瓷作动器期望输出抑振力。然后,建立了压电陶瓷作动器期望输出抑振力 激励电压的神经网络模型,并根据该模型设计了一种实时解算加速度为激励电压的控制方法。最后,通过地面试验对控制方法的有效性进行验证。实验结果表明,该控制方法具有良好的实时性和鲁棒性,在锤击试验中,振动加速度衰减时间相比于压电方程线性控制时减小了54.46%,系统阻尼比增大了1.58倍,取得了良好的控制效果。     

基于比较器亚稳态抑制技术的8位320 MS/sSAR ADC

提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s 的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC能在转换与采样模式之间快速切换。与传统技术相比,随着工艺角、电源电压和温度(PVT)的变化,ADC的采样时间会被最大化。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种8位320 MS/s SAR ADC。芯片测试结果表明,在1 V电源电压下,功耗为1 mW,信号噪声失真比(SNDR)>43 dB,无杂散动态范围(SFDR)>53.3 dB。SAR ADC核的芯片面积为0.021 mm²,在Nyquist采样率下,优值为29 fJ/step。     

一种应用于EEPROM读出放大器的设计

读出放大器是电可擦除非易失性存储器(EEPROM)中的关键模块,其读取速度决定了EEPROM的操作频率。基于国内先进的0.18μm工艺,对EEPROM放大器的基准电流源和比较器进行了分别设计,测试结果显示读出放大器的响应时间小于70 ns,可满足10 MHz的EEPROM存取速度的要求。     

运放电路在测试系统中的应用

硬件芯片的功能、可靠性和稳定性至关重要,使得硬件测试越来越受到重视。在测试过程中为提高测试的精度和稳定性,会在测试芯片外围电路的基础上根据不同芯片的测试难点增加测试辅助电路,运放电路是其中较为常见的测试辅助电路。根据各运放电路的特点与功能,分别描述和研究了在遇到测试难点时运算放大器、电压跟随器和电压比较器在测试系统中的应用,从而有效提高了测试精度。     

四温控点可编程温度监控器ADT14及其应用

多功能芯片ADT14既是一种输出逻辑电平控制信号的多点温度监视器，又是一种输出模拟电压信号的温度传感器，可广泛应用于各种嵌入控制系统中。本文介绍了ADT14的特点和应用电路等。     

带ADC,PWM和比较器的单片机——EM78P458

本文概要介绍了ＥＭ７８Ｐ４５８单片机的主要性能特点，并给出了该单片机的Ａ／Ｄ转换器、脉宽调制器（ＰＷＭ）和比较器的用法。     

一种高精度动态CMOS比较器的设计与研制

比较器的设计对于A／D、D／A转换器的精度至关重要。为满足14位高分辨率A／D转换器的需要，设计了一种高精度动态CMOS比较器，采用二级差分比较和一级动态正反馈latch结构实现了高比较精度。预增益和Latch级的应用降低了功耗。设计中充分考虑了工艺离散性和使用环境温度与电源变化的影响，保证了成品率和电路在变化工作环境下性能指标的实现。仿真结果表明，设计的高速动态比较器LSB（Least Significant Bit）为±0．15mV，输入动态范围为VSS-VDD（VSS为地电压，VDD为电源电压），相应于14位比较精度。功耗6．28mW，工作频率3．6MHz。电路用0．6μm双层金属、双层多晶硅CMOS工艺实现。