矩阵在几何光学中的应用

本文中介绍了适用于几何光学中近轴光线的矩阵方法     

New BCN Fibres for Strong Ultraviolet and Visible Light Luminescence

Novel B3CN3 fibres with a special structure have been synthesized by a pyrolysis process. High-resolution TEM analysis shows that the as-prepared B3CN3 fibres can be described as a nanofibre-interweaved network. Strong photoluminescence at 370 nm and 700 nm from the as-prepared B3 CN3 fibres are observed at room temperature, which suggests that B3 CN3 is a promising ultraviolet- and visible-light-emitting material.     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

具有新光学性质的Zn-Zn2SiO4纳米同轴线阵列

采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn₂SiO₄芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn₂SiO₄。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn₂SiO₄壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。     

辉近生活

欢迎来到《辉近生活》小版块。我是主持人霞辉。《辉近生活》,将更快一步带给你精彩的移动生活咨讯。[编者按]     

紫外写入光纤光栅用特种光纤的研究

本文详细地介绍了如何加强用于制做紫外写入光纤光栅所需的特种光纤的高光敏性、温度不敏感性以及对包层模的高度抑制性等。     

低密度聚乙烯光引发交联机理——Ⅱ.BNB自旋捕捉ESR研究

在光引发剂二苯甲酮(BP)存在下,紫外光辐照低密度聚乙烯(LDPE)所形成的自由基中间体已被自旋捕捉剂2,4,6-三特丁基亚硝基苯(BNB)所捕捉,其自旋加合物自由基已为电子自旋共振(ESR)所特征。现已检测和鉴定到二种自旋加合物:一种是叔碳自由基;另一种是仲碳自由基。它们分别是由BP的激发三重态从LDPE链的支化点和亚甲基团上夺氢所形成的自由基中间体同自旋捕捉剂BNB反应生成的。上述的证据表明:LDPE的光引发交联点主要发生在叔碳和仲碳原子上,且H-型交联点占主导地位。     

液晶研究（Ⅰ）──4＇－酰基－4－羟基－1，1＇－联苯酯类液晶的合成与性质

以４＇－羟基联苯为原料合成了８种新型４＇－酰基－４－羟基联苯酯类化合物．除化合物５＿ｈ外，均为新的近晶相液晶化合物．它们具有较宽的相变温度范围和较高的热稳定性．用偏光显微镜和差热分析仪研究了它们的相行为，讨论了分子结构对液晶相行为的影响．