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精密陶瓷部件近净成型技术的发展 总被引:5,自引:0,他引:5
重点介绍了近十年发展起来的陶瓷部件的近净成型技术 ,主要包括直接凝固注模成型、凝胶注模成型、陶瓷注射成型、陶瓷无模成型和微注入成型。对这些新的成型方法的原理、工艺过程及应用特点进行了较全面的分析与比较。 相似文献
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采用5d-4f跃迁的稀土Ce3+-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce3+离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce3+-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce3+配合物中的Ce3+离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm2。 相似文献
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本文采用了紫外光谱、红外光谱、激光喇曼光谱、荧光和磷光等多种光谱分析方法。通过紫外、红外和激光喇曼光谱分析,由吸收峰的位移来判断油分子结构的变化:实验已证明吸收峰基本上无位移,从而证明油分子的官能团未因磁场作用而产生变化。通过荧光和磷光光谱分析,由其发射光谱强度的变化来判断磁场作用使油分子状态变化的情况,以及油分子由激发单态窜跃到三重态的情况;实验结果证明,荧光和磷光发射光谱强度基本上无变化。这证明磁场(100mt数量级)并使油分子处于激发状态,也不能有与自旋S=1相联系的磁矩存在。 相似文献
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用1m法向入射光谱仪观察三电极真空火花发射的Ti五次离化光谱。在24~200nm波段内观察到157条TiVI的新谱线。根据新归属的TiVI谱线定出11个新能级,并对5个有疑问的能级值作了修正。 相似文献
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本文针对一般FD-TD方法分析计算二维理想导体散射问题所遇到散射体边角处难以精确处理的缺点进行了改进。将边角处总场近似解析解直接引入FD-TD法差分公式,得到了有关修正系数,为了检验此方法的有效性,有无限长导体方柱为例分别用一般FD-TD法和本文的FD-TD方法进行了分析研究,并与MOM法进行了比较,所得结果说明改进后的FD-TD方法对分析计算导体边角附近电流分布特性是较有效的。 相似文献
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刘浩 《数学物理学报(A辑)》2002,22(2):231-237
该文在有界星形圆型域上建立一些与双全纯星形映照有关的偏微分不等式.作为应用,给出有界星形圆型域上ε星形映照以及近似星形映照的一些充分判别条件. 相似文献
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