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Silicon 《激光与光电子学进展》2007,44(9):6-7
法国研究人员利用中红外近场扫描光学显微镜展示了量子级联激光内部模式的图像。这项研究结果能够用于优化更复杂的结构,如光子晶体量子级联激光器。他们使用原子力显微镜的针尖描绘出一个正在运行的量子级联激光器的表面渐逝场,并能够直接得到腔内模式的空间分布。 相似文献
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为探究在谐振腔中倍频晶体位置对绿光激光器输出功率的影响,利用半导体泵浦固体激光实验仪设计了腔内和腔外倍频绿光的探究性实验。分析了绿光倍频效率与基频光束的功率密度及光斑半径之间的关系,分别测量了磷酸钛氧钾(KTP)倍频晶体位于谐振腔內部和外部不同位置时,532 nm倍频绿光的输出功率。其中在腔外倍频实验中,分别设计了腔外不加透镜时KTP晶体位于腔外不同位置,以及加上透镜时KTP晶体位于聚焦位置两种实验方案。同时,在实验中引导学生利用谐振腔理论和高斯光束传输理论等激光原理计算1 064 nm基频光在腔内外不同位置的光斑半径,分析了KTP晶体在不同位置时532 nm倍频光输出功率出现差别的原因,以及利用透镜聚焦提高激光功率密度以达到提高倍频效率的方法。 相似文献
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太赫兹是电磁频谱上还未被完全开发利用的频段,但太赫兹谱学成像技术在材料科学和器件测试等方面已展现出重要应用价值。然而受远场衍射极限限制,该频段难以聚焦于纳米、原子尺度的新材料和微纳器件中,极大阻碍了太赫兹科学的发展与技术应用。为提高成像分辨率,使其成为材料科学等交叉领域强大的研究工具,近年诞生了太赫兹耦合的近场显微技术,实现了纳米到埃米量级的空间分辨。本文综述了太赫兹耦合的近场显微技术,包括扫描近场显微镜和扫描隧道显微镜各自的发展历程和应用实例,并探讨了太赫兹近场显微技术的未来机遇和挑战。 相似文献
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本文利用电畴的双折射随电畴的自发极化的取向而异的特性,采用反射式扫描近场光学显微镜,观察了铁电单晶的畴结构。横向分辨率约为50nm。对原有的Topometrix Aurora NSOM系统作了较大的改进。采用音叉(tunning fork)检测光纤探针与样品间的剪切力,取代了原有的光学法振动检测。对硫酸三甘氨酸[NH3CH2COOH)3.H2SO4)](简称TGS)的观察说明,反工扫描近场光学显微镜,适合研究垂直b轴切割的TGS(010)面的自发极化。对这种180极化的多畴,可获得光学衬度较好电畴分布图像。与形貌图像相比,发现电畴与形貌无关。无论是新鲜解理的原子级光滑表面和表面水解的较为粗糙表面均可观察到分布较为均匀的电畴分布。 相似文献
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固体浸没透镜飞行高度的气浮控制 总被引:3,自引:3,他引:0
采用固体浸没透镜的光存储方法是提高光存储密度的比较实用的近场光存储方法,而严格控制SIL下底面与光存储介质之间的亚波长级距离是此光存储系统正常工作的前提.本文采用电容法测量SIL的飞行高度,采用弹性悬臂将SIL加载在转盘表面上,转盘以不同速度转动时SIL将悬浮在不同的高度.计算机首先采集到SIL的飞行高度信息,再与设定的飞行高度作比较,根据比较结果调整转盘转速,从而达到调整SIL飞行高度的目的.采用此方法,可以动态地将SIL的下底面控制在距高速转动的转盘表面上150~600 nm范围内的一定高度上. 相似文献
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