2006无线宽带技术发展研讨会（2006年6月22日 北京）

无线宽带正改变着传统的接入模式。相信在2006年将会有更大的突破。 在无线宽带接入风起云涌的今天，新技术层出不穷：在802．11领域，Mesh技术给Wi-Fi带来更大的扩展性，新组建的增强无线联盟（EWC）正为下一代WLAN推广制定技术规范。     

业内动态

上海电信采用北电技术提供高带宽服务上海电信将采用北电的城域网新技术,为企业和个人用户提供高带宽的视频服务以及话音和数据应用。上海电信将在网络核心部署北电城域以太网路由交换机8600,北电以太网服务单元1800将在网络边缘提供基于以太网服务的传输点。北电城域光以太网产品采用了PBB(提供商骨干网桥接)和PBT(提供商骨干网传输)两项技术,使服务提供商能够采用以太网提供跨城市和国家的服务。“2006中国手机电视论坛”在沪成功举行由信息产业部电信研究院交流中心和讯息展—世界展览服务有限公司主办的“2006中国手机电视/移动电视/…     

日本KDDI开发出最新光通信技术

日本KDDI研究所新开发的光通信系统可在每秒钟的时间内最多传输1800部两个小时长的电影的信息量，3年内即可把它应用在构筑国际和国内大容量高速通信网络上。     

北京科菲尔电子科技有限责任公司

北京科菲尔电子科技有限责任公司是生产、研制、开发应用半导体致冷技术的专业企业，长期以来我们将半导体致冷技术应用于军事，科研、航空、航天、电子、通讯、医药和石油化工等领域。随着全球高科技技术的发展和不断的进步，我们又将半导体致冷技术应用在军民的消费类产品上，给人类带来了可喜的绿色环保型的新型冷源，1．军用冷帽（醒脑器）防止夏季中暑；2．军民两用电子冷热毯，既能热又能凉，     

TD—HSDPA组网浅析

TD-SCDMA核心技术之一：TDD时分双工 TD—SCDMA在3GPP标准中称为TDDLCR，其广为人知的智能天线技术，联合检测技术及上行同步技术等关键技术的开发与实现均是基于TDD时分双工的工作方式而深入展开的，可见TDD时分双工是TD—SCDMA相对其它FDD（频分双工）技术而言最具特色的，并且还将对未来TDSCDMA标准的演进及系统设计产生持续的影响。（见图1）     

高性能调度技术中应用程序调度模型设计--地理空间信息网格调度技术的研究

地理空间信息网格调度技术，要比传统的高性能计算中的调度技术复杂，原因是如果将全部网格资源作为一个应用程序的调度和执行目标，必将导致通信延迟、成本昂贵、执行低效等。为此，综合考虑应用程序特性、机器特性等，研究设计了地理空间信息网格高性能调度技术中的应用程序调度模型，包括地理空间信息网格应用程序分析；资源特性分析；应用程序分解；性能预测；资源调度；机器选择；任务映射；任务调度；任务调度器和调度器管理模块。以实现为不同的应用程序匹配不同的计算资源，提高计算资源的利用率和应用程序的执行效率。     

高性能计算机标准工作委员会筹委会成立

8月18日中国电子工业标准化技术协会高性能计算机标准工作委员会筹备委员会在京正式成立。筹委会组成体现了标准制定的开放性和透明性，在23家发起单位中除了国内高性能计算机领域的代表性企业之外，还有飞思卡尔、微软等著名跨国公司。     

乐富豪Movie Star50迷你系统

在某种意义上而言，一个行业或是一个品牌的自我创新能力，是维系其自身活力与可持续发展的关键动力。说得直接一点，这种动力或能力，实际上的核心是技术与市场两部分。以前，业界常常提倡技术领先的概念，殊不知，这种接近口号般的句式有着空洞的内涵。以目前的形势来看，技术一定要适应市场，且能为市场接受，才是重中之重，它是技术领先概念的大前提。一种得不到市场呼应的技术和不能转化为具体产品的技术，这种“技术”，即使领先了，又有什么用呢?如果以音响市场为实例来进行考察的话，近年来，将精湛的技术蕴含在生活化(Lite Stvle)类型的时尚外貌的背后，悄然形成整体追求。     

表面安装工艺对印制板设计的要求

表面安装工艺是伴随着微电子技术的迅速发展而出现的一种电子元器件装联的新工艺。这种新工艺的出现，对印制电路板设计也提出了一些特殊的要求。本介绍了表面安装工艺的一些特点，并对印制板设计要求提出了一些建议。     

氮化硅/石墨激光合金化涂层的组织结构与性能研究

为获得金属表面特别是高副接触金属表面含自润滑特性且具有高硬度耐磨特性的功能材料 ,研究了 45 # 钢表面激光合金化氮化硅 /石墨复合涂层的工艺方法、组织特征、界面形态及其形成机制 ,利用光学显微镜、扫描电镜和X射线能谱对所形成合金化层的元素分布和含量进行了分析 ,并对试样硬度进行了测定。结果表明 ,合金化层中元素Fe ,Co ,Si,C分布均匀 ;C含量达到了 15 6 9%,大部分以石墨的形式存在 ,具有一定的自润滑性能 ;但在形成合金化层的温度条件下 ,氮化硅分解严重 ;合金化层硬度提高的主要原因是Si Fe ,Co Fe固溶体的强化作用及高碳马氏体的生成和高硬度碳化物的存在。