浅说存储网络的威胁隐患及防护.

阐述了存储网络的现实威胁、三种隐患,结合存储网络安全保护理念、主流设备和具体实践,提出了总体防护策略.     

基于数字微镜阵列光调制的激光防护系统

提出一种基于数字微镜阵列(DMD)的激光防护系统设计方案, 利用DMD的光调制作用减少强激光对光电成像设备的损坏.详细介绍了系统的工作原理、DMD及CCD的选型、投影光路和光学转换系统的设计, 运用相移莫尔法进行了图像像素的调校.模拟实验结果显示, 该系统可在不同光斑半径和光强的条件下成功识别激光光斑中心点的像素坐标和半径, 实现对光斑对应区域的微反射镜控制, 激光光强可衰减70%以上.     

杆式射流对充液防护结构的毁伤机理及影响因素的数值模拟

运用ANSYS/LS_DYNA软件分析了聚能射流对充液结构的毁伤,初步获得了药型罩壁厚和材料等参数对聚能战斗部水下作用的影响特性。药型罩壁厚在0.04D_k~0.06D_k(D_k为装药直径)之间形成的射流对充液防护结构具有较优的侵彻性能;当δ<0.04D_k时,杆流成型结构较差,在水中的动能抗衰减性能较低;δ>0.06D_k时,射流的初始动能低,靶后效果差。药型罩可采用纯铁、紫铜和钽3种材料,其中纯铁射流的侵彻能力最高,钽射流在水中的动能抗衰减性能最好,紫铜射流具有较好的综合性能。     

含泡沫铝防护结构的超高速撞击数值模拟研究

 泡沫铝是一种新型航天器防护材料,拥有良好的抵御空间碎片超高速撞击的特性。模仿泡沫金属的生产原理,建立了泡沫金属微结构几何模型,结合自编的光滑质点流体动力学程序进行了超高速撞击数值仿真,通过与实验结果的对比,验证了模型的有效性。提出了两种含泡沫铝的空间碎片防护结构,即填充泡沫铝结构和夹层泡沫铝结构。对这两种结构分别进行了仿真计算,获得了其撞击极限曲线。分析结果表明,在空间碎片防护领域涉及的大部分撞击速度区间内,填充泡沫铝结构的防护性能优于夹层泡沫铝结构。     

高强度防激光、防眩光PC材料的研究

随着激光技术的不断发展和应用领域的不断扩大,研制一种高性能的防激光、防眩光材料,具有重要的应用价值和国防意义。以聚碳酸酯作为基材,通过在基材中加入防激光、防眩光吸收剂IR530、IR580I、R1060,制备了能同时防护0.53μm、1.06μm波长激光和0.50-0.58μm范围眩光的高强度PC材料。研究结果表明,当在PC中加入0.10%的IR530、0.08%的IR580和0.48%的IR1060时,具有良好的防激光、防眩光性能,其中在0.53μm、1.06μm波长处的透过率都为0.01%(光学密度D=4),在0.50-0.58μm范围的透过率≤0.1%。同时该防激光、防眩光PC材料的可见光透过率为14.2%,冲击强度为54.8kJ/m2,抗弯强度为124MPa。因此,这是一种性能优良的防激光、防眩光材料。     

驼峰过程控制系统综合防雷设计

从整体防雷角度出发,对驼峰过程控制系统采取雷电的直接防护设计和感应雷电即雷电的间接防护设计,提高设备对雷电的抵抗能力,减少或防止雷电造成的损害。     

航天器空间静电效应研究进展

航天器在轨运行过程中面临的空间环境复杂多变,高能电子、等离子体环境、低气压、大温差等环境因素会引起航天器发生静电带电和放电效应,对航天器的安全运行造成严重影响。基于国内外试验数据和案例分析了空间环境引起的航天器故障,从数值仿真软件、地面模拟技术、强场诱发放电以及防护技术等方面介绍了空间环境作用下航天器充放电效应研究进展,对我国目前研究差距和未来研究方向进行了展望。研究表明：我国航天器充放电效应防护技术研究取得了进步,下一步重点针对空间站、深空探测、探月工程等新任务,进一步拓展空间环境作用下航天器充放电效应机理和防护新技术研究,为提升我国航天器的安全性和可靠性提供技术支撑。     

激光诱偏干扰技术在车载主动防护系统中的应用

为了有效对抗激光制导武器,提升车载武器系统在战场上的生存能力,提出一种车载主动防护系统的激光诱偏干扰对抗技术。根据半主动制导武器系统的来袭威胁信息和特性,探讨了激光诱偏干扰技术实现的可行性;采用同步转发式干扰模式,通过实验装置记录了跟踪系统从跟踪识别目标到启动干扰系统的运动轨迹,验证了该系统能够在7s有效反应时间内实施对抗干扰,达到主动防护的目的。     

不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法

基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。