1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

锥形有源条半导体光放大器增益和饱和特性分析

以行波半导体光放大器速度方程为基础，采用传输矩阵方法，对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度，不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明，锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下，长锥形长度能提高饱和增益，降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响，以实现结构优化 。     

相邻像素的投影和杂攻光对反射型LCDs对比度的影响

研究了相邻像素的投影和杂散光对反射型LCDs对比度的影响，结果表明，在LCDs的测量过程中，由于受邻近像素的投影和杂散光的影响。当和被测像素邻近的像素和被测像素同时选通时，可使测量到的对比度和视角特性发生不容忽视的变化；被测像素的尺寸越小，其测量对比度和视角范围受相邻像素的选通状态的影响越大。     

用函数记录仪描绘LRC电路暂态过程

引言现有的普通物理实验教材中,对RC、RL和LRC电路暂态过程的描绘,多采取用方波发生器代替直流电源,用示波器观察或用照相法摄取暂态曲线,RC电路的暂态过程,也可以用电压表和秒表逐点测量来描绘曲线。这些方法或只能观察,定量分析不便,或虽能定量分析,但实验过程复杂,效果都不理想。本文介绍用函数记录仪直接描绘RC、RL和LRC电路的暂态过程曲线,实验方法简便,而且利用图象进行定量分析和计算都很方便。     

具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算

将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。     

铟镓砷磷半导体激光的生物特性及73例椎基底动脉供血不足者的治疗

通过对甸镓砷磷半导体激光和常用He-Ne激光生物特性进行初步比较,说明半导体激光对治疗椎基底动脉供血不足疗效较明显。     

对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。