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2.
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子设计工程》2015,(2):159
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的 相似文献
5.
6.
张志军 《激光与光电子学进展》2006,43(6):73-73
在美国西部光电博览会高功率二极管激光器会议上,美国的Alfalight公司公布了25℃,22W,970nm连续输出的单发激光二极管。该公司同时报道了他们在美国国防部高级计划研究署(DARPA)超高效率二极管发射源计划中的功率转换效率(PCE)为80%的目标计划进展。他们的最新结果是,带1mm长腔的占空比为20%的半导体条在25℃时的功率转换效率达到71%。 相似文献
7.
8.
田金波 《内蒙古广播与电视技术》2006,23(2):47-48,61
2004年冬天,我台安装了两部上海腾达广播器材公司生产的TF(S)-3000型3kW调频发射机,工作频率分别为91.8MHz、104.8MHz。2005年入夏以来,渐渐感到功率合成器、功率输出端低通滤波器温度越来越高,明显烫手。对过热处仔细检查,未见异常之处。我台另有两部上海明珠广播电视科技有限公司生产的FM(S)-3000B型3kW调频发射机,这两类发射机采用电路完全相同,唯一不同点是功放电压不同,TF(S-3000型3kW调频发射机功放电压为45.6V(图3中稳压输出实测值),FM(S)-3000B型3kW调频发射机功放电压为43.2V(实测值)。但FM(S)-3000B型3kW调频发射机却没有TF(S)-3000型3kW调频发射机的过热现象。 相似文献
9.
ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献