雷达抗反辐射导弹的一种新方案

本文首先指出抗反辐射导弹（ＡＲＭ）技术的四个特点，然后分析三种现有的抗ＡＲＭ方法并予以评估。在此基础上，设想了一种设备便于较大批量生产的抗ＡＲＭ新方法－采用先进ＡＲＭ告警雷达和系列化通用诱饵所构成的综合对抗系统来保护绝大多数地面防空雷达。之后，依据未来实战需求，提出了对系列化通用诱饵的基本要求，并着重分析了先进ＡＲＭ告警雷达的体制的特征。     

非灰介质中辐射直接交换面积的计算

用宽带胶其修正模型模拟非灰介质的辐射特性，并将它用于区域法模型，计算了非灰气体介质中表面一表面之间的辐射直接交换面积。结果表明，修正的宽带模型对气体辐射特性的描述是比较准确的，且它易于与区域法相结合。     

一种辐射源距离的估算方法

提出利用测量设备与辐射源相对运动速度及测量设备所接收到的辐射功率的估算测量设备到辐射源距离的一种方法。对计算精度进行了分析，通过算例对理论分析进行了检验。     

改善天线旁瓣的副面再次赋形设计

本文介绍了在不改变主反射面轮廓前提下，通过移动馈源相位中心，并适当发迹主副反射面边缘的照射锥削，再次将副反射面赋形的设计原理及方法。     

双波段比色辐射温度计的波长选择

通过对比色测温法灵敏度温区特性和波比数判据的分析,讨论了比色波长的匹配原理,试图解决选择比色波长的理论依据。     

软X光辐射烧蚀实验方法研究

 用强激光辐照金箔靶，以金箔背侧软X光辐射为基础，提出了软X光辐射烧蚀研究的新靶型、新方法，做了C₈H₈样品辐射烧蚀初步实验。     

e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的新计算方法

在e-A深度非弹性散射过程中, 喷注穿过冷核介质时, 多重散射诱导胶子辐射会导致对碎裂函数的修正及喷注的能量损失.前期研究中关于计算e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的两种方法: 螺旋振幅近似和微扰QCD严格计算都异常繁杂. 本文发展了一种新的方法, 可以方便计算出多重散射导致胶子辐射的振幅, 得到的碎裂函数的修正以及能量损失与严格计算的结果一致.     

Cooperative Effect Radiation Loss of Optical Pump Solid Laser

1 Introduction For increasing the output energy of laser, the pumping power must be enhanced. But the cooperative effect will arise and cause spontaneous radiation light in laser medium sample when the pumping power is high e- nough without the resonator. The spontaneous radiation light is coherent light between laser and fluorescent. It will compete the upper energy level population with ex- cited radiation, and the loss increase. In solid laser medium, such as Nd∶YAG, the Nd ion densityi…     

从800nm到远红外都灵敏的探测器

红外探测广泛应用于工业、监视、医疗和防御等领域？红外辐射直接反映物体的温度，但是物体的形状、尺寸和表面特性郜埘信号有影响，所以红外辐射和温度之间的一阶关系是不严格的。     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.