码分体制多站交会测量中的电平效应分析

本文对测量站外测的码分多址，多站共作应答机测距方式中的远近电平效应问题，结合靶场的实际使用情况进行了具体分析。     

厚膜导体的金属迁移研究

金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法－水滴试验法，来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用引方法测量时，发现Ｐｄ－Ａｇ导体的迁移率最大，Ｐｔ－Ａｕ导体的金属迁移率最小。     

RFSQUID超导量子效应

高温超导材料钇钡铜氧制成的双孔单结射频超导量子干涉器件处于超导态时，环孔中的磁通是量子化的．超导器件吸取谐振回路能量的同时也影响谐振回路的输出电压．芽过环孔的外磁通变化时，回路输出电压呈现三角波特性曲线，其周期为磁通量子Φ_0。谐振回路电流变化时，曲线的幅度及位相变化，但周期不变．     

介质膜技术在半导体激光器中的应用（一）——改变阈值电流，提高外量子效率

本文从理论上分析了介质膜对半导体激光器外特性如阈值电流，外量子效率和最大输出功率等的影响，实验研究结果也表明腔镜镀膜技术能有效地改善半导体激光器的输出特性，且工艺简便，较之设计研制新结构容易实现。     

金属管线与地中载流导体交越时产生的电位分布

本文给出了一种处理地下耦合平行，交越多导体系统的一般方法，推导出了地下多导体系统的基本耦合方程，利用这组方程可以求得受扰导体上的感应电流及电位分布，并能计算地中任意点的电位。     

外电场下光聚合反应动力学的表征方法

外电场下光聚合反应动力学的表征方法李从武，潘昂上海材料研究所，上海２０００８２）关键词光聚合反应、液晶、外电场、动力学、表征近年来，液晶单体在外场（电场、磁场和剪切力）下在位光聚合反应的研究工作受到了很大的关注［’，ＺＩ．众所周知，热致型侧链高分子液...     

乙内酰脲法合成外消旋萘普生

研究了以２－甲氧基萘为原料，经乙酰基化、Ｂｕｃｈｅｒｅｒ－Ｂｅｒｇ＇ｓ反应、Ｎ－甲基化和催化氢解等反应制得外消旋体萘普生１。通过＾１Ｈ ＮＭＲ、＾１３Ｃ ＮＭＲ、ＩＲ和元素分析确证了中间体和产物的结构。     

光学活性配合物的合成、拆分和性能研究——Ⅲ.fac-、mer-〔Co(β-ala)3〕的手性固定相拆分和其对映体的异构化外消旋反应机理

本文用QAE-Sephadex-Sb_2(d-tart)_2~(2-)为手性交换固定相,50％乙醇水溶液为淋洗剂,在柱尺寸为80cm×2.2cm,淋洗速度为5.0ml/20min下完全拆分了1.0g fac-[Co(β-ala)_3];用同一手性固定相和淋洗剂在淋洗速度为1.2ml/20min下mer-[Co(β-ala)_3]的拆分量可增至0.78g。 fac-、mer-[Co(β-ala)_3]的四种对映体在1.56×10~(-2)M HClO_4介质和中性水溶液中的异构化外消旋反应的产物用Na~+型SP-Sephadex C-25柱分离后,用分光光度法和旋光仪测定了它们的浓度和旋光度。实验结果表明,这些对映体的异构化外消旋反应比较可能是按Werner首先提出的断键-分子内重排的机理进行。机理研究正在深入进行。     

La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3－α陶瓷的质子导电性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了La_0.8Sr_0.2Ga_0.8Mg_0.2O_3－a陶瓷样品, 用XRD, DSC-TGA, SEM, 交流阻抗谱, 气体浓差电池及气体电化学透过等方法对样品的结构和性质进行了表征和测试. 首次对该样品的质子导电性能进行了研究. 该陶瓷样品具有良好的微观结构, 相对密度达95.1%; 氢浓差电池电动势的实测值与理论值吻合, 离子迁移数为1; 在干燥的氧气气氛中是一个纯的氧离子导体; 氢的电化学透过速率的实测值与理论值吻合, 证明该样品在氢气气氛中几乎是一个纯的质子导体, 质子电导率在1000 ℃时高达0.14 S•cm^－1.     

Na_（1－x）Zr（2－x）Nb_xP_3O_（12）系列化合物的水热晶化研究

采用水热晶化反应，制备出传统需要高温固相反应合成的掺杂ＮＡＳＩＣＯＮ化合物Ｎａ（１－ｘ）Ｚｒ（２－ｘ）ＮｂｘＰ３Ｏ１２（０＜ｘ＜１），并应用ＸＲＤ、ＩＲ方法对产物的晶体结构进行了研究，表明水热晶化产物是纯的物相并具有与ＮａＺｒ２Ｐ３Ｏ１２相同的结构．固体３１ＰＮＭＲ研究证实Ｎｂ（５＋）部分取代了Ｚｒ（４＋）所在位置，参与骨架的组成，并统计分布于结构中．水热晶化产物与固相反应产物具有相同的离子电导性能．