2009年全球线路板市场情况及其未来发展

在熬过2009年的低谷之后,全球PCB市场将再次迎来一个新的发展,开始另一个发展、高峰、衰落、低谷的PCB市场循环。冬天已经到了,春天还会远么？     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.     

分光法测量LED颜色的不确定度分析

分析了分光法测试发光二极管(LED)颜色的测量不确定度,着重分析了光谱功率分布测量不确定度和波长不确定度对颜色测量的不确定度影响,给出了几种典型LED的分析结果,结果表明,5%的光谱功率分布测量不确定度和0.5 nm的波长不确定度在一般情况下可以满足精度要求为0.001的LED颜色测量.     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

拳头对拳头的较量——索尼a700PK尼康D300

2007年下半年,索尼与尼康先后推出了各自的准专业级重头产品——索尼a700与尼康D300数字单镜头反光照相机。我有幸试用了这两款照相机,感触颇深。现有这两款数码照相机试用情况和相关资料笔录于下,供影友们参考。     

HgCdTe红外焦平面用锥形节流致冷杜瓦组件

介绍了一种用于HgCdTe红外焦平面的致冷器杜瓦组件的设计和试验情况.该组件通过采用锥形结构,包括锥形杜瓦和锥形节流致冷器两部分,提高了降温速度,有效地缩短了组件的轴向尺寸,结构更加紧凑,尤其适用于轴向尺寸受到限制的红外导引头.     

球解码的改进算法

文中首先对MIMO系统启发式算法中的BLAST算法和球解码(CL算法)进行了研究.然后,在前面介绍的相关知识基础上,提出了一种新的球解码算法.该改进算结合BLAST算法计算量小和球解码算法(CL算法)误码性能好的优点而提出的.改进算法在牺牲一定误码性能的情况下,换取算法计算量的大幅度下降.仿真结果表明了这种改进算法的有效性.     

NI推出基于PCI Express的图像采集板卡NI PCIe-1429

泰克日前宣布推出RSA3408A实时频谱分析仪。新型高性能DC-8GHz实时频谱分析仪可提供36MHz带宽的实时触发和捕获功能，分辨率提高了2000倍，可有效分析功率和频率随时间的变化情况。工程师使用RSA3408A可以查看以前不知道但存在的RF信号不稳定性和瞬变。     

基于谱估计的噪声调频信号检测方法研究

对干扰信号的频谱特征进行精确测量和分析是实施有效的电子反干扰(ECCM)的重要步骤.通过对噪声调频干扰信号的频谱特征分析,提出采用合适的功率谱估计方法来检测噪声调频信号的主要频谱特征参数.利用MATLAB/Simulink仿真软件分别建立了噪声调频信号源和谱估计方法的系统模型,研究了系统采用不同的谱估计方法和参数设置的情况下所能够达到的检测精度,并根据仿真结果分析比较了不同谱估计方法的性能.     

Imprints of molecular orbitals using photoelectron angular distribution by strong laser pulses of circular polarization

We theoretically investigate the strong-field ionization of H+2 molecules in four different electronic states by calculating photoelectron angular distributions in circularly polarized fields. We find that the structure of photoelectron angular distribution depends on the molecular orbital as well as the energy of the photoelectron. The location of main lobes changes with the symmetric property of the molecular orbital. Generally, for molecules with bonding electronic states, the photoelectron's angular distribution shows a rotation of π/2 with respect to the molecular axis, while for molecules with antibonding electronic states, no rotation occurs. We use an interference scenario to interpret these phenomena. We also find that, due to the interference effect, a new pair of jets appears in the waist of the main lobes, and the main lobes or jets of the photoelectron's angular distribution are split into two parts if the photoelectron energy is sufficiently high.