厚膜混合集成电路常见工艺缺陷及其消除方法

除设计和材料外，工艺和操作对厚膜混合集成电路的质量和性能也有较大的影响。分析了厚膜混合集成电路生产过程中一些常见的工艺缺陷，如线条变形、起泡、阻值不稳、元件受损、锡珠等的产生原因，并提出了相应的消除方法。     

双105mW耳机放大器LM4809

<正> LM4809是国家半导体公司推出的器件,它是一种双通道音频功率放大器,在5V供电时THD+N为0.1％,负载16Ω时每通道可以驱动连续平均功率105mW(该器件是音频功率放大器Boomer系列的一种,其特点是最少的外围元器件及提供高质量的输出)。由于该器件无需自举电容或缓冲网络,因此它特别适用于便携式应用。该放大器主要应用于蜂窝电话、个人计算机、话筒前置放大器及PDA等。 该器件工作电压为2～5.5V;静态电流为1.3mA(典型值)、3mA(最大值);有关闭控制(低电平有效),关闭状态时耗电小于2μA;在THD+N=0.1％、f=1kHz时,Vdd=5V,R_L=16Ω时输出功率为105mW,若R_L=32Ω时输出功率为70mW;有开机“喀呖及爆裂”声抑制电路;单位增益稳定;8管脚MSOP封装;工作温度为-40～+85℃。     

HRSJ—103型红外碳硫分析仪中红外探测放大器的研制

HRSJ-103型红外碳硫分析仪采用高频感应燃烧—红外吸收—电子计算机信息处理的新技术研制而成。该仪器具有分析速度快、精度高、重复性好等特点。其主要性能指标与美国LECO公司CS-244型红外碳硫分析仪相同,但某些辅助功能,如样品重量的存贮容量,报警与诊断的内容等,尚不完全相同。目前只有美国、德国、日本能生产该类仪器。该类仪器在冶金工业炉前钢样分析以及各类中心试验室,钢铁研究所实验     

星用固和的现状

介绍了星用固态放大器的现状及其主要技术，展望了星用固放的发展趋势。     

电流模式n阶传输函数的OA-OTA实现

提出了一种新的实现任意 n阶电流模式传输函数的网络结构。该电路仅含运算放大器 (OA)和运算跨导放大器 (OTA)有源器件 ,因而适于全集成。适当设置 OTA的跨导值能实现任意高阶传输函数 ,且传输函数的系数可独立调整。文中推导了滤波器的设计公式 ,并给出了截止频率为 1 0 0 k Hz的三阶巴特沃斯低通滤波器实例 ,PSPICE仿真结果表明所提电路及设计公式是正确的     

Compact Single-Stage Femtosecond Multipass Ti：Sapphire Amplifier at 1 kHz with High Beam Quality

A compact femtosecond Ti：sapphire amplifier system is reported using single-stage multipass configuration with high beam quality. A high dispersion glass stretcher and a pair of double prisms for compression are introduced based on broadband femtosecond seed pulses. The non-grating-based pulse stretcher and compressor are advantageous to increase high beam quality and to reduce the high-order dispersion. A Gaussian filter is used to reduce the gain narrowing effect in amplification. The compact femtosecond Ti：sapphire nine-pass amplifier delivers pulses with a duration of 26 fs and an energy of 800μJ at 7mJ pumping pulses energy at I kHz. The 1-kHz femtosecond amplifier with high beam quality and high stability is very suitable for ultrafast physics research applications, such as attosecond science, ultra-precision micromachining, and THz wave generation.     

无线网络跨层技术及展望

跨层设计是提高无线网络综合性能的一种解决方案。文章针对跨层反馈原理，分析无线网络跨层设计方法，并概括其当前应用、存在的问题，最后预测其应用前景。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

微波BJT超宽带低噪声放大器的设计

本文给出了一种频带覆盖达１０－１６００ＭＨｚ的微波ＢＪＴ超宽带低噪声放大器的设计方法，从微波ＢＪＴ的噪声模型出发，通过拟合５０Ω源阻抗下微波ＢＪＴ的噪声系数ＮＦ５０和Ｓ参数来提取其噪声参数，然后根据增益，噪声及驻波比要求优化设计放大器，使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声，本文所给出的微波ＢＪＴ惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。