狭路相逢的较量 Mini DV带、DVD式、硬盘式摄像机试用手札

时间转眼已到2007年，再看Mini DV带存储的旧有模式宛如明日黄花。DVD式和硬盘式摄像机的发展已渐趋成熟，不仅如此，就连摄像机业界的龙头老大——索尼（Sony） 也把家用高清化的道路寄予以后两者，Mini DV带的地位岌岌可危。不过，在实际使用中，Mini DV带摄像机是否真的已被完全打败呢？实际使用中，光盘，硬盘摄像机各有什么特点呢？恐怕这还要实际比拼才知晓，这里，我们就用Mini DV卡带式，DVD式，硬盘式数码摄像机同拍摄一段1小时的影像，并最终制作成DVD影碟的过程为例，来看其优缺点究竟如何。[编者按]     

Multiband Terahertz Photonic Band Gaps of Subwavelength Planar Fractals

Optical transmission properties of subwavelength planar fractals in terahertz （THz） frequency regime are studied by means of time-domain spectroscopy. The transmission spectra with multiple pass bands and stop bands are observed. The tunable photonic band gaps are realized by changing the angle between the principle axis of planar fractal and the polarization of THz wave. The possible application of the subwavelength optical component is discussed. We attribute the detected transmittance from subwavelength fractals to localized resonances.     

正常形变带[521]1/2的ΔI=1颤动

系统分析了A≈170区正常形变带[521]1/2-中的ΔI=1颤动现象. 根据旋称伙伴带的跃迁能量提取Δ2 Eγ (I)=[Eγ(I)+Eγ(I-2)]/2-Eγ(I-1)值, 表现出旋称相关的规则上下颤动. 其颤动幅度在低自旋端约为50 keV, 而后随自旋而增大或减小, 大体呈抛物线形. 利用改进的ab公式, 提取了相关的脱耦合系数. 运用Nilsson波函数, 探讨了原子核集体哈密顿量中高阶微扰项的可能形式.     

周期性分层介质高反射区范围的分析与估计

对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围，提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理，分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性，给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明，高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且，随着分层介质周期单元数的增多，高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后，讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系. 关键词： 分层介质 带隙特性 周期单元 高反射区     

单形的构造定理

单形的构造定理由Menger最先解决,即他解决了有限点集在E~n中等长嵌入问题。本文给出了单形的另一构造定理,即有限点集在E~n中等长嵌入的一个充分必要条件: 定理预给C_(n+1)~2个正数d_(ij)(1≤i相似文献   

一维CO2光学晶格中的光子带隙

本文研究了囚禁^85Rb原子的一维CO2光学晶格的光子带隙。由于大失谐CO2聚焦光束（λ=10．6μm）远离Rb原子的共振频率，原子与晶格光场的自恰作用可忽略，Rb原子被囚禁在周期为d=λ／2=5．3μm的周期性格点上，且单个格点上囚禁的原子数目可以达到10^3，整个晶格形成具有空间周期性调制的介电多层膜系。类似于光子晶体，其光学响应将在晶格频率与共振频率之间产生光子带隙。另一方面，     

二维非正交坐标斜方格金属光子带隙结构

金属光子带隙结构在高能加速器、微波真空电子器件和太赫兹波源等方面具有重要的应用前景.基于实空间传输矩阵理论，详细研究了非正交坐标系下二维斜方格金属光子带隙结构，给出了计算横电模、横磁模完全带隙结构的一般公式，并分析了填充系数、任意斜角及金属柱横截面对带隙结构的影响.计算结果在退化为正方格情况下时，与其他方法的计算结果取得很好的一致. 关键词： 光子晶体 金属光子带隙 传输矩阵法 微波真空电子器件     

Ir β+/EC衰变及其系统性分析

在在束实验条件下用γ-γ符合方法研究了具有β⁺/EC衰变性质的核素^176,178Ir的衰变γ射线. 另外借助氦喷嘴快速带传输系统在排除在束干扰的条件下, 进一步对¹⁷⁶Ir的β⁺/EC衰变进行了研究, 在确认在束测量新γ射线的同时建议了¹⁷⁶Ir的一个低自旋同核异能态. 从衰变系统性方面对^176,178Ir核中存在同核异能态的合理性和可能性进行了分析.     

求解大规模带边界约束二次规划问题的单调投影梯度法

受投影BB(PBB)方法的启发, 提出并分析了求解大规模带边界约束的二次规划问题的单调投影梯度方法. 通过数值实例和数值分析证明,对于此类方法,直接采用负梯度方向计算步长往往会导致糟糕的数值计算效果, 为此提出了利用投影梯度来计算单调步长的思想.大量的数值实验表明所给出的新方法通常要好于PBB方法.     

改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法

本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.