分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料

我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为10~(14)/cm~3量级,迁移率为250cm~2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。     

Bohr-Mottelson转动谱公式参数之间的新关系式

在利用Harris两参数公式研究Bohr-Mottelson转动谱公式参数之间的关系的基础上,改用Harris三参数公式,并由此提出了Bohr-Mottelson转动谱公式参数之间的新关系式,进而用I(I+1)四参数展开式计算了A～60,80,130,140,150,190区超形变偶偶核的基带和锕系和稀土区正常形变核基带,讨论了参数之间的关系,发现新关系式与实验较好地符合.     

一类椭圆型方程的多重解

利用极小极大方法获得了一类Dirichlet问题多重解的存在性结果.     

基于PC机的线阵B超诊断系统的研究与设计

介绍了一种由B超成像前端电路结合PC机组成的新型线阵B超诊断系统。该系统实现了数字扫描变换（DSC）、测量诊断、伪彩色显示、大容量存储和诊断报告编辑功能。以微机CRT作为图像显示器，以较低的价格获得了高档B超仪的图像显示质量，并提供了比一般低档B超诊断仪强大得多的诊断功能。     

高效液相色谱检测反—2—苯基—邻—硝基肉桂酸

初探了反－２－苯基－－肖基肉桂酸（ＰＮＣＡ）的高效液相色谱分离。优选出了最佳分离条件。所建立的方法简单、快速，适用于工业生产中的控制及分析。     

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构

用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场.     

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一 关键词：     

超软X射线流气式正比计数管

介绍了一种用于测量183～933eV超软X射线的圆柱形、侧窗式、流气式正比计数管,工作气体是0.11MPa的P-10气体或氦气-丙烷混合气体。计数管内径为φ25mm,直径为φ0.3mm的入射窗是由厚度80～90μgcm~2聚乙烯甲醛制成的。该计数管的特点:(1)薄窗,对软X射线透过率高。(2)流气式,工作寿命长。(3)能量分辨率好。(4)计数率高(1×10~(14)个/s)。(5)可测能区宽(0.183～10keV)。(6)可以方便更换窗膜材料、厚度及窗口直径。近几年来该计数管已经为高强度低能X光源提供较好监测。     

1.3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射矢量束传播方法模拟

束传播方法广泛的地无源波导器件的模拟与设计，为了能够模拟有源器件，例如金属包层波导和超射发光二极管（ＳＬＤ），我们将复的射率引入其中，器件的增 吸收通过折射率为描述，用复折射率的有奶差分敌意一束传播方法，我们对１．３μｍ直条形吸收区ＳＬＤ进行了模拟与设计，并且给出一种新结构。     

关于超立方体网络的容错路径选择

文章给出ｎ－维超立方体网络的容错路径选择算法，该算法具有自适应性，可以防止死锁和活锁现象的发生，应用该算法，可求出一条基于安全优先策略的可行最短路径。