进来出去为哪般

部分外资通信企业撤离中国的背景是我国产业结构调整和经济结构升级,在一定程度上反映出我国通信制造业的现状。     

Co-P非晶态合金电子性质和局域结构的理论研究

根据Co P非晶态合金结构的短程有序和结构中可能存在P -P相互作用的实验事实 ,选择了单磷原子簇模型ConP(n =1～ 5 )和双磷原子簇模型ConP2 (n =1～ 4 ) ,用密度泛函理论方法对其进行计算 .结果表明 ,在单磷Co2 P( 2 ) 、Co3 P( 1) 及Co4P( 2 ) 模型体系中 ,Co原子供给P原子电子 ,与电负性规则一致 ,同时Co和P之间具较强化学作用 ,可以形成稳定的原子簇 ;而在双磷和单磷原子簇Co5P( 1) 模型体系中 ,形成的原子簇不稳定 ,采用单磷Co2 P( 2 ) 、Co3 P( 1) 及Co4P( 2 ) 模型能较好地反映Co P非晶态合金的结构特点 .     

Origin of the 420 nm Absorption Band and Effect of Doping Fluorine in PbWO4 Crystals

The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-：PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO.     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.     

具有急慢性阶段的MSIS流行病模型阈值和稳定性结果

系统研究了具有急性和慢性两个阶段的MSIS流行病模型.由两节构成,第1节建立和研究了具有急慢性阶段的MSIS流行病模型;第2节在第1节的基础上建立和研究了具有慢性病病程的MSIS流行病模型.第1节的模型是四个常微分方程构成的方程组.第2节的模型既含有常微分方程,又含有偏微分方程.运用微分方程和积分方程中的理论和方法,得到了这两个模型再生数R0的表达式.证明了当R0<1时,无病平衡态是全局渐近稳定性,给出了各模型地方病平衡态的存在性和稳定性条件.     

统盟下半年营运有明显转机

统盟电子上半年业绩不如去年同期，且第二季转盈为亏，但在7月营收已创今年单月新高，预期下半年营运有明显转机。统盟过去几年积极改变产品结构，从主板（MB）用印刷电路板（PCB）转型到薄膜晶体管液晶显示器（TFT—LCD）用PCB。因一直没有大陆生产基地处于竞争劣势，转投资大陆江苏省无锡厂第二季末逐渐试产，初期规划月产能55万平方尺，以TFT—LCD、汽车用PCB为主，有助争取更多订单。[第一段]     

ONKYO安桥：市场策略与产品结构——日本安桥CE事业部出口业务总经理荒木健先生、工程部高级工程师河田芳道先生访谈纪要

今年4月上海音响展期间，日本安桥公司CE(消费电子)事业部负责出口业务的总经理荒木健先生，以及CE事业部旗下的工程部高级工程师河田芳道先生来到上海，本刊副社长梁舒、编辑叶新海借机对他们二位进行了采访。以下是访谈纪要。     

低电压语音编解码芯片W681310在移动终端中的应用

W681310是WinBond新推出的低电压单通道的语音编解码(CODEC)芯片，用于PCM系统中模拟语音信号的数字化和重构。文中介绍了W681310的内部结构及其工作原理，并给出了W681310在移动终端中的应用电路。     

最快晶体管的频率接近太赫兹

Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个     

双奇核136La的集体带结构

通过重离子核反应与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区的双奇核¹³⁶La的高自旋态进行了研究, 所用核反应为¹³⁰Te(¹¹B,5n). 实验结果扩展了¹³⁶La的能级纲图, 包括3个集体转动带, 最高自旋态达20h. 对于\uppi h_{11/2}\otimes \upnu h_{11/2}$~带, 观测到了旋称反转与集体回弯现象. 通过系统学比较, 对旋称反转特性进行了讨论. 由推转壳模型的计算指出, 此集体回弯是由一对中子的角动量顺排引起的. 另外两个集体带为具有~$\gamma\approx -60^\circ$~的扁椭形变带, 其可能的组态为: $\uppi h_{11/2}\otimes \upnu g_{7/2}h_{11/2}^2$~与~$\uppi g_{7/2}\otimes\upnu g_{7/2}^2 d_{5/2} h_{11/2}^2$.