一种新型的集成电路金属连线温度分析解析模型

研究了金属连线上的焦耳热对连线温度的影响,进而提出了一种新型的集成电路多层金属连线上的温度模拟器(LTem).该模拟器采用一种相对简单的热学解析模型,详细考虑了通孔效应以及边缘效应对温度分布的影响.模拟结果表明,考虑了通孔效应以及边缘效应之后,金属连线上的温度分布情况有了较大程度上的降低,LTem可以得到更贴近实际情况的金属连线温度分布情况.     

非线性双折射色散缓变光纤中极化调制不稳定性

利用光脉冲在光纤申传播时所遵守的相干非线性薛定谔耦合方程，研究了线偏振光在双折射色散缓变光纤申的传输特性．结果表明，线性双折射、非线性效应和色散的相互作用，使光的偏振状态发生变化，产生交叉相位调制(XPM)，从而导致相位匹配参量的四波混频．这一过程不仅在反常色散区产生，在正常色散区也能产生，并且当传输距离发生变化时，也随之发生变化．     

深亚微米PD和FD SOI MOS器件热载流子损伤的研究

研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。     

基于有限状态的全周期序列混沌映射的研究

在有限长度的数字计算机中，混沌迭代序列是一个有限周期序列，其相关性能远远低于理想序列。基于skew tent映射，提出一种离散化的有限状态混沌映射，它允许精确的数值计算，没有舍入误差，通过选择合适的参数，映射能产生全周期长度的序列。仿真实验表明，归一化的序列平均周期对计算机精度不敏感，生成的二进制序列具有良好的相关性能。     

聚合物分散液晶(PMMA:5CB:C60)光折变特性的实验研究

用溶致相分离方法制备了3种不同组分的聚合物分散液晶薄膜(PMMA：5CB：C60)，C60作为敏化剂。利用二波耦合实验测量了不同样品的衍射效率和响应时间等光折变特性，实验发现，液晶含量不同的薄膜光学性质有很大的不同。     

新型毫米波微带带通滤波器

介绍了一种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器。对这种滤波器进行了分析,推导出了滤波器中所用谐振单元间的耦合系数。该滤波器通过加载电容而出现慢波效应,使得在不改变电路性能的情况下,减小了电路尺寸。同时由于电路中加载电容形成的慢波效应而出现了带阻效应,因此对谐波有很好的抑制作用。利用高频分析软件CST仿真分析并设计了这种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器,实验结果与设计曲线结果相符。     

a-Si∶H TFT的寄生效应

a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

MIM隧道发光结的负阻现象

本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理，阐述了其Ｉ－Ｖ特性中的负阻现象。简单介绍了ＭＩＭ结构负阻的几种解释，根据热像仪照片和低温测试结果分析，再结合Ｄｅａｒｍａｌｅｙ导电模型，我们提出了ＭＩＭ负阻的物理模型，理论与实验符合较好，最后分析了负阻现象的应用前景。     

YBa2Cu1-xCox(Cu1-yZny)2Oz体系的Co,Zn共同掺杂效应

本文报道通过对YBa₂Cu_1-xCo_x(Cu_1-yZn_y)₂O_z(0≤x,y≤0.1)体系晶体结构、氧含量、正常态电阻-温度关系、Hall效应以及超导临界温度等的综合测量,发现随着Co和Zn含量的增加,体系经历了从正交结构的超导金属向四方结构的非超导半导体的转变,超导临界温度T_c和载流子浓度n_h均迅速下降,Co 关键词：