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131.
本文用Claisen缩合反应合成了未见文献报道的一种新的β-二酮,α-萘甲酰呋喃甲酰甲烷(α-NFM),考察了该化合物的红外光谱、质谱及核磁共振氢谱。确定其存在着互变异构。  相似文献   
132.
纳米硅薄膜光吸收谱的研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
刘湘娜  何宇亮  F. WANG  R. SCHWARZ 《物理学报》1993,42(12):1979-1984
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词:  相似文献   
133.
硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用X光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态,发现两者均不是单一的SiO2,硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态,即Si+1,Si+2,Si+3和Si+4,它们相对于体Si2p,峰的化学位移分别为0.85,2.35,3.55和4.60eV.在硅的初期氧化阶段无Si+4成分出现.  相似文献   
134.
铝—铬蓝黑R的极谱催化波及应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
  相似文献   
135.
本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。  相似文献   
136.
杨锡震  陈枫 《发光学报》1997,18(4):357-359
将DLTS用于对InAs/GaAsQD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE)、QD能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据.结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能  相似文献   
137.
138.
139.
重离子在束穆斯堡尔谱学   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
140.
一个膨胀的热夸克物质的双轻子谱的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
一个从能量-动量守恒导出的,用来描写一个膨胀的热夸克物质的相对论性的流体力学方程被普遍化,使之包括粒子数守恒.基于新的描述,我们研究了潜热和粒子分布在谱上的效应.计算表明,要获得一个合理的关于夸克物质形成的预言,这些效应是必须考虑的.  相似文献   
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