基于材料反射率谐振特性测试电磁参数的自由空间法

自由空间法具有非接触、非破坏性测试特点,适于材料的电磁参数测试．根据材料反射率扫频测试的特性,提出了一种基于谐振特性测试材料电磁参数的新的自由空间法．通过理论分析,研究了发生相消和相长干涉的条件,给出了应用干涉位置和材料厚度测试材料介电常数实部的理论计算公式．利用谐振峰,谷的位置及其相互关系可以计算材料介电常数虚部,而利用波谷比值法比驻波比值法容易达到更高的计算精度．     

长周期光纤光栅折射率特性仿真的新方法

基于长周期光纤光栅的模式耦合机理,提出一种快速模拟长周期光纤光栅折射率特性的方法。该方法在计算包层模式的有效折射率时分开计算,在环境折射率小于包层折射率时采用二分法和分步搜索法结合计算包层模式的有效折射率,在环境折射率大于包层折射率时采用Nelder-Mead加分步搜索法求解包层模式的有效折射率。在应用谐振波长的决定式求解与环境折射率的匹配的谐振波长时,采用变区间应用二分法求解而不是传统的逐步搜索法求解谐振波长。数值结果与实验结果做了对比,两者基本一致。实践证明,该方法方便快捷,比一般的方法速度提高7倍以上。     

角度调谐光参量振荡器的理论

推导、计算了晶体角度调谐光参量振荡器的信号光波长与调谐速率之间的关系曲线,并对信号光单谐振和空闲光单谐振两种情况进行了分析和比较,所得结果对获得高效、宽调谐光参量振荡器实验研究具有一定的指导意义。     

Half baudrate electrical clock based demultiplexing scheme for OTDM-DQPSK signal using SOA and optical filter

A demultiplexing scheme based on semiconductor optical amplifier(SOA)and optical filter for optical time division multiplexing differential quadrature phase shift keying(OTDM-DQPSK)system is proposed and investigated experimentally.With only a common half baudrate electrical clock modulated 33%duty cycle return-to-zero(RZ-33)optical clock signal as pump,this scheme is cost-effective,energy-efficient,and integration-potential.A proof-of-concept experiment is carried out for the demultiplexing of a 2×40-GBd OTDM-DQPSK signal.Error-free performance is demonstrated,and the average power penalty for both channels is about 3 dB.     

Ramsey interaction with transverse decay

The Ramsey fringe contrast of a pulsed optically pumped cold atom clock is strongly affected by the transverse decay of the atomic sample. This letter calculates the Ramsey fringe with focus on transverse decay, and analyzes the Ramsey fringe contrast with different transverse decay rates. By fitting the experimental data, we obtain the transverse decay rate in a cold atom sample at an approximate value of 30.5 s1 , which is much smaller than that in a cell.     

活塞驱动的指数形谐振管内的非线性振荡

本文通过理论分析和推导得到了活塞驱动的指数形谐振管内气体的压力和压比的近似表达式。对指数形谐振管的各种驱动幅值,计算了管端压比随形状参数m的变化曲线,获得最大压比时的谐振管形状参数。本文的研究结果可用于活塞驱动的指数形谐振管内非线性振荡的分析和大声幅谐振管的设计。     

10Gb/s突发模式时钟数据恢复电路设计

突发模式的时钟数据恢复是10G EPON系统的关键技术之一。本文介绍了一种基于XNOR/XOR门的振荡器,分析了其工作原理与性能,以此为基础设计了半速率突发时钟恢复电路。设计采用SMIC 0.13?m CMOS工艺进行了流片验证,芯片面积为675?m ? 625?m。测试结果表明,该电路可以即时的实现10Gbit/s的突发数据恢复,恢复出的时钟数据符合IEEE 802.3av标准,锁定时间小于5bit。     

一款深亚微米ASIC芯片的后端设计

采用0.18μm及以下工艺设计高性能的VLSI芯片面临着诸多挑战,如特征尺寸缩小带来的互联线效应、信号完整性对芯片时序带来的影响、时序收敛因为多个设计变量的相互信赖而变得相当复杂,使芯片版图设计师需深入介入物理设计,选用有效的EDA工具,结合电路特点开发有针对性的后端设计流程。文章介绍了采用Cadence公司Soc Encounter后端工具对基于0.18μm工艺的ASIC芯片后端设计过程,分为后端设计前的数据准备、布局规划、电源设计、单元放置及优化、时钟树综合、布线等几个阶段进行了重点介绍。同时考虑到深亚微米工艺下的互联线效应,介绍了如何预防串扰问题,以及在整个布局布线过程中如何保证芯片的时序能够满足设计要求。     

基于CIockExplorer的时钟树插入技术研究

随着SoC芯片设计复杂度的日益增加,芯片内部时钟设计也越来越复杂。基于华大九天SoC时钟设计工具ClockExplorer对SoC芯片内部模块进行了时钟树插入技术的系统研究,使用ClockExplorer工具进行时钟树综合,并进行门控时钟的插入和时钟拓扑结构的优化,从而验证国产EDA工具的功能。     

Tunable Ba0.5Sr0.5TiO3 film bulk acoustic resonators using SiO2/Mo Bragg reflectors

Tunable and switchable Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 film bulk acoustic resonators（FBARs） based on SiO 2 /Mo Bragg reflectors are explored,which can withstand high temperature for the deposition of Ba x Sr 1 x TiO 3（BST） films at 800 C.The dc bias-dependent resonance may be attributed to the piezoelectricity of the BST film induced by an electrostrictive effect.The series resonant frequency is strongly dc bias-dependent and shifts downwards with dc bias increasing,while the parallel resonant frequency is only weakly dc bias-dependent and slightly shifts upwards at low dc bias（ 45 V） while downwards at higher dc bias.The calculated relative tunability of shifts at series resonance frequency is around 2.3% and the electromechanical coupling coefficient is up to approximately 8.09% at 60-V dc bias,which can be comparable to AlN FBARs.This suggests that a high-quality tunable BST FBAR device can be achieved through the use of molybdenum（Mo） as the high acoustic impedance layer in a Bragg reflector,which not only provides excellent acoustic isolation from the substrate,but also improves the crystallinity of BST films withstanding higher deposition temperature.