HARRIS DAM广播发射机的技术特点

本文主要介绍了HARRIS公司的DAM广播机中所运用的数字调制编码技术及功率合成技术。     

HEMT及其界面态效应的二维数值模拟

本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响.     

转移电子光阴极调制传递函数的理论计算

本文利用蒙特卡罗模拟的方法计算了Ａｇ／ｐ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＡｇＡｓＰ／ＩｎＰ转移电子光阴极的调制传递函数，计算结果表明转移电子光阴极具有较高的空间分辨率，并与阴极材料的吸收系数，有源层厚度有场助偏压有关，为获得较高的调制传递函数，应当昼降低吸收系数和缩短有源层厚度，提高场助电压。     

格栅编码调制在不对称数字用户环路中的时分复用

分析了格栅编码调制（ＴＣＭ）在不对称数字用户环路（ＡＤＳＬ）中的应用环境，提出了格栅编码器时分复用概念，并采用改进的编码方案解决了时分复用中出现的存储容量过大的问题。     

应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型

应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.     

一种实现高性能TCM的卷积编码器结构

本文提出了一种用于网格编码调制(TCM)技术的卷积编码器结构,并在三种不同的信号分配约束条件下对具有最大自由欧几里德距离的TCM码进行了搜索,结果表明:当状态数目较少时,Ungerboeck建议的规则是获得好码的前提条件,当状态增多时,可能存在有其它的信号分配形式达到最好的性能。     

多勒普加宽斯塔克效应调制分析

用半经典理论分析了含多勒普加宽的斯塔克效应调制，使用密度矩阵近似，导出了吸收线附近ＮＨ３分子的吸收系数和调制度表达式，实验研究了１０．７８４μｍ波长的斯塔克效应调制特性，调制频率１ＭＨｚ时，调制度达到３３％。     

差信道上相调制的伪单脉冲自跟踪系统

介绍了差信道采用四相调制的圆皮导多模伪单脉冲自跟踪系统的工作原理，导出了角误差电压表达式，并讨论了和，差合成信号增益比对系统性能的影响。     

Modulation Spectroscopy of GaAs Covered by InAs Quantum Dots

Contactless electroreflectance has been employed at room temperature to study the Fermi level pinning at undoped-n^ GaAs surfaces covered by 1.6 and 1.8 monolayer (ML) InAs quantum dots (QDs).It is shown that the 1.8 ML InAs QD moves the Fermi level at GaAs surface to the valence band maximum by about 70 meV compared to bare GaAs,whereas 1.6 ML InAs on GaAs does not modify the Fermi level.It is confirmed that the modification of the 1.8 ML InAs deposition on the Fermi Level at GaAs surface is due to the QDs,which are surrounded by some oxidized InAs facets,rather than the wetting layer.