首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13916篇
  免费   2357篇
  国内免费   1170篇
化学   1027篇
晶体学   46篇
力学   1200篇
综合类   106篇
数学   251篇
物理学   3621篇
无线电   11192篇
  2024年   133篇
  2023年   426篇
  2022年   512篇
  2021年   505篇
  2020年   378篇
  2019年   468篇
  2018年   293篇
  2017年   420篇
  2016年   519篇
  2015年   536篇
  2014年   960篇
  2013年   712篇
  2012年   846篇
  2011年   809篇
  2010年   753篇
  2009年   924篇
  2008年   958篇
  2007年   833篇
  2006年   828篇
  2005年   863篇
  2004年   710篇
  2003年   699篇
  2002年   508篇
  2001年   444篇
  2000年   311篇
  1999年   261篇
  1998年   266篇
  1997年   269篇
  1996年   223篇
  1995年   196篇
  1994年   166篇
  1993年   135篇
  1992年   139篇
  1991年   141篇
  1990年   121篇
  1989年   108篇
  1988年   26篇
  1987年   15篇
  1986年   5篇
  1985年   5篇
  1984年   3篇
  1983年   3篇
  1982年   4篇
  1981年   6篇
  1977年   1篇
  1976年   1篇
  1975年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 125 毫秒
121.
本文以色度学上正确的彩色重现条件为基础,给出了彩色电视传输系统中,实现正确的彩色重现时摄像机应具有的光谱响应特性的数学表达式,并对实现该光谱响应特性所采取的技术措施进行了详细的分析。  相似文献   
122.
本文叙述了频率在1200~1500MHz具有宽调制频带的两点调制锁相调频器的设计和结果。  相似文献   
123.
本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。  相似文献   
124.
125.
STN-LCD采用新的取向层,消除了残象;采用新的驱动波形,消除了串扰;采用二(口恶)烷、卤化物、链烯基、醚和二苯乙炔,改进了液晶料材的性能,使STN-LCD获得高的对比度、快的响应速度、低的驱动电压;采用有源矩阵驱动方法,消除了帧响应,使STN-LCD获得高的对比度、高的亮度及视频响应速度;使用温度跟踪电路,自动跟踪STN-LCD的阀值电压,使STN-LCD获得宽的工作温度。  相似文献   
126.
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势阱中的电子波函数交叠,产生光跃迁。用MBE生长的δ掺杂样品进行光调制光谱测量,发现明显的带间跃迁峰。测得的光谱峰同理论计算的能级相吻合,证实了δ势垒中空穴的新行为。  相似文献   
127.
128.
对In(0.2)Ga(0.8)As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确认PR中11H、13H等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质.而11L、31H、22H等跃迁结构为阶间耦合态,对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性.  相似文献   
129.
阐述了A律13折线编译码系统计算机模拟的有关原理及其技术背景,着重介绍用C语言实现非线性编译码原理的方法。  相似文献   
130.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号