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251.
超导临界温度测量   总被引:1,自引:1,他引:0  
阮耀钟  黄伟 《物理实验》1991,11(1):41-42,46
1911年翁纳斯(Onnes)在测量低温下汞的电阻时,发现在4.2K附近电阻突然消失,突变前后,电阻值变化超过10~4倍。这种在低温下电阻突然消失的现象称为超导电性。具有超导电性的材料称为超导体。  相似文献   
252.
本文叙述了合成碳膜电位器子浆料的标称阻值系列的改进,以及利用计算机辅助设计(CAD)绘制新的子浆料配比曲线的方法。利用此曲线指导浆料配制,较原工艺,阻值命中率大大提高。  相似文献   
253.
254.
255.
14.7MeV中子在C和Be核上小角弹性散射测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用快中子位置灵敏谱仪和伴随粒子飞行时间方法、测量了14.7MeV中子在C和Be核上的弹性散射微分截面.用蒙特卡罗方法对中子在样品中的通量衰减、多次散射作了修正.实验数据与他人结果作了比较和讨论.  相似文献   
256.
测试和测量     
《今日电子》2007,(11):124-126
VC3300手机综测仪新增TDSCDMA测试选件;全波段光器件测试仪MT9820A;MS04000混合信号示波器推出FPGAView软件;高达7Gb/s的HDMI TMDS信号发生器平台;用于WiMAX终端生产测试的单机解决方案;LTE(Long Term Evolution)射频测试方案;……[编者按]  相似文献   
257.
258.
259.
通常,便携机应具有台式微机的全面功能,然而,实际上台式机比便携机的速度快3倍。因而,当前的便携机还不能完全取代台式微机。 便携机应具有以下特点:重最轻、可携带,并可进行小型计算。本文主要论述各类便携机的方方面面的功能特点。  相似文献   
260.
GaAs器件工艺中等离子刻蚀及计算机辅助监控技术研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
用N2气和NF3反应气体,在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶AZ1518作掩模,均匀、快速刻蚀SiO2,SiON,Si3N4,WN,W等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术,将射频参数的变化在计算机屏幕上实时显示,实现了计算机辅助监控和终点检测技术。  相似文献   
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