阈值光电子-光离子符合成像研究NO+c3∏(v′=0)态解离动力学

用阈值光电子-光离子符合成像方法研究了处于c³∏(v′=0)态的NO⁺的光解离. 在使用垂直分子束的情况下,近似矢量加法规则推导了碎片离子在质心坐标系和最可几质心坐标系中的速度,飞行时间和在速度图像中的位移之间关系. 得到并讨论了N⁺碎片离子在质心坐标系中速度及在最可几质心坐标系中的速度和角度分布.     

交会测量中具有自适应权因子的最优无偏方法

在利用多台测量站对空中运动物体进行交会测量过程中，测量站两两交会得到的测量结果并不会完全一致，有时甚至会有很大差别。讨论了具有自适应权的最优无偏方法：首先利用最小二乘法的原理，推导出了最小二乘解的表达式。在求解最优无偏解的过程中，通过求条件极值的方法导出了最优无偏解的权因子。由于权因子中的某些因素与目标像在CCD像面上的位置有关，提出了“自适应权”的思想，即权因子随目标像点位置的不同而自动调整。与传统的方法相比，具有自适应权的最优无偏方法，在一定程度上更充分地利用了不同情况下来自不同测量站的测量信息，从而提高了测量精度。经实际计算表明，在低空目标定位时，具有自适应权的最优无偏方法的平均偏差为传统方法平均偏差的40％左右。     

Al-Zn-Mg-Cu合金时效过程的小角度x射线散射研究

通过同步辐射小角度x射线散射方法（SAXS），研究了三种Al_Zn_ Mg_Cu合金沉淀析出过程显微结构参数（析出相尺寸和体积分数），随时效温度和时效时间 的演化，同时分析了Zn含量对合金沉淀析出过程的影响.结果表明，三种合金（A，B，C） 在实验条件下析出相均属于纳米尺度，析出相的最大体积分数随Zn含量的增加而增加，最大体积分数分别为0.023—0.028，0.052—0.054和0.04.在一定时效温度下，体积分数随时效时间的变化规律，符合析出相的形核、核长大和粗化动力学过程.  关键词： 小角度x射线散射 Al_Zn_Mg_Cu合金 时效 析出相尺寸 析出相体积分数     

一种基于CAN总线的高精度角度变送器

针对工业控制系统中对角度位置量高精度、实时性强的测量需求,提出了一种基于CAN总线的高精度角度变送器的设计与实现。以C8051F504型单片机作为处理核心,重点阐述了旋转变压器-数字转换系统模型的构建,并确定了校正参数;利用单片机内部集成的CAN控制器,设计了CAN总线接口电路,详细介绍了器件选型和电路设计的创新点。测试结果表明,设计的角度变送器精度指标高达1.7′,可靠性和实时性强,具有广泛的应用前景。     

移动便携式激光标记机打标头的结构设计

针对大型机械零部件表面激光打标的特殊要求,对激光打标技术和工艺过程进行了研究。本文介绍了一种便携式光纤激光打标头的结构设计,通过使用便携式激光打标头取代固定式激光打标头,使激光打标技术能有效应用于不便于移动的大型零部件表面打标,进一步拓展了激光打标的应用范围,并提高了激光标记机的使用灵活性。     

基于标定模块的多线结构光测量系统的直接标定

多线结构光测量系统的标定精度直接影响到测量 结果的精确度,但传统标定方法存在着标定模型过 于复杂且计算量过大的不足。同时在针对深孔类零部件内表面几何形状进行结构光测量过程 中,由于特征 点的缺失,传统标定方法难以直接应用。因此提出了一种基于标定模块的直接标定法,无需 建立标定模型, 直接通过查找索引表完成标定任务。实验结果表明该标定方法的标定误差低于单个像素,即 0.037 mm,能够满足测量系统的精度要求,并且操作简便、易于实现 。     

非中心对称像差系统的光束质量控制

为了突破元件加工工艺水平对多元件光学系统像质的限制,基于计算机辅助装调,研究了系统中元件装调姿态的优化过程.针对由两个元件组成的光学系统,利用相位屏方法,通过计算机的数值模拟,分析了非中心对称像差的光学元件之间波前像差的互补性.结果显示,经过元件装校姿态的优化调整,系统的光束质量由预期的4.916优化为1.187,显著地提高系统的最终光束质量.分析表明,这种方法可以推广到多元件系统的装调中,能进一步提高在传统计算机辅助装调后的系统光束质量.     

高重频激光压制干扰与激光制导系统相互作用效应研究

在时域上分析了高重频激光压制式干扰作用时激光导引头的信息处理过程.以具有抗干扰措施的激光制导系统为干扰目标,采用二极管泵浦全固体高重频激光器为干扰源干扰激光导引头,通过外场试验从系统级角度研究了高重频压制干扰与激光制导系统相互作用效应.用所记录的目标视线和系统光轴角误差数据表征相互作用效应,说明高重频激光压制干扰与激光制导系统相互作用效应表现为激光导引头的信息处理机制被破坏,不能正常给出的水平、俯仰角度误差信息,但这种破坏在压制干扰消除后即刻消除.     

开口圆柱壳结构挠曲电传感特性分析

该文基于正挠曲电效应建立了开口圆柱壳结构的挠曲电传感器模型。首先分析了开口圆柱壳的动态响应特性;其次根据正挠曲电效应,建立了由动态应变梯度引起的挠曲电传感理论,并推导出模态电压的表达式,挠曲电效应引起的挠曲电传感信号由长度方向弯曲应变引起的挠曲电信号与圆周方向弯曲应变引起的挠曲电信号两部分组成,分析了挠曲电片无限小时各点的分布式传感特性;最后分析了不同模态的频率及弯曲角度对挠曲电传感信号的影响,对比分析了不同方向弯曲应变引起的挠曲电信号的不同作用。研究结果表明,该分析结果对优化开口圆柱壳结构的传感特性有重要意义。