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171.
本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。 相似文献
172.
本文从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手,应用二支模型理论,分别对GaAs和ZnO两种材料计算了内表面电子的量子像势及其极化子的有效势。计算结果表明:当Z很小时,经典像势和半经典有效势分别与量子像势和量子有效势相差较大;当Z很大时,经典像势和半经典有效势分别是量子像势和量子有效势的一个很好的近似。 相似文献
173.
174.
175.
球墨铸铁材料对激光的吸收率 总被引:1,自引:0,他引:1
球墨铸铁因其优良性能而被广泛用作模具材料。对球墨铸铁冲压模具的激光表面处理已成为改善其耐磨性、提高使用寿命的重要方法。一定激光参量下吸收率的大小又直接影响到表面处理的质量。因此,确定球墨铸铁材料对激光的吸收率十分必要。通过热电偶测温,计算机数据采集系统进行定点温度采集,并结合数值模拟方法,对吸收率进行了标定,即首先根据预置的吸收率计算,预测被测点处的温度响应,并与实测响应比较,不断修正吸收率值,使预测温度响应和实验值吻合,由此获得吸收率。采用这种方法获得了球墨铸铁材料在大气条件下对激光的吸收率为23.3%。为激光处理球墨铸铁材料时工艺参量的选择和优化提供了一定参考。 相似文献
176.
Vern Solberg 《中国电子商情》2005,(6):22-24
用于指导线路板生产企业的规范文件常常缺乏重要信息,尽管通常也提供有关于印板成品的机械略图、层数、绝缘体厚度、可控的阻抗条件、焊料掩模涂层、表面镀层和标记的规格等详细信息,规范文件当然也注意到了基材,但却没有考虑其物理属性。对基材的最常见的描述就是被命名为FR-4的强化玻璃环氧合成物。 相似文献
177.
178.
179.
GAOHui LIYan YANGLi-ping DENGHong 《半导体光子学与技术》2005,11(2):85-88,106
Hexagonal microtube ZnO was firstly grown on single crystal p-Si (111) substrates by hydrothermal method, and fabricated Ag/n-ZnO and Au/n-ZnO Schottky junction. Schottky effective barrier heights were calculated by I-V measurement. It is confirmed that the presence of a large amount of surface states related possibly to lattice imperfections existed near the surface leads to the pinning of the surface Fermi level at 0.35 eV below the conduction-band edge. Then the fabricated Schottky barrier junctions are evaluated for their use as UV photodetectors. 相似文献
180.
The experimental relationship between width and amplitude of the non-destructive threshold pulse for Pt tip of a scanning tunneling microscope (STM) on graphite surface have been studied strictly and systematically in a wide range of pulse width for the first time. The threshold curve of amplitude versus width indicates that the amplitude of threshold pulse will increase with the decrease of the pulse width. A more rigorous explanation is suggested to interpret the dependence of threshold pulse amplitude on width. Fitted with the experimental data,a new empirical formula is given, extrapolated from which the threshold pulse amplitude will rise to 50 V when the pulse width decreases to 10ns. 相似文献