精密数控抛光碳化硅表面去除特性研究

计算机数控精密机械抛光技术是制造高精度、高质量光学元件表面的主要技术之一。然而,对于碳化硅材料表面去除特性方面的研究却相对较少。在航天航空领域中,陶瓷类材料碳化硅的应用较为广泛。针对计算机数控精密机械抛光技术,根据一系列的抛光实验,研究并总结出碳化硅材料表面的去除机理。基于选择不同等级的四种变量参数:抛光磨头转速、抛光压力、磨头补偿量和抛光头角度,分析碳化硅材料表面的去除趋势。采用Taguchi方法可以有效优化实验设计参数、减少实验整体次数。结果表明:文中总结出对应的抛光参数组合和材料表面的去除特性,确保加工出高质量表面的碳化硅材料。     

用有限元法研究微细钻头振动钻入的动力学特性

振动钻削在定心精度、孔表面质量、钻头寿命和出口毛刺等方面，均优于普通钻削。针对其优良的工艺效果，特别是钻入时的高定心精度和小横向偏移等现象，目前尚不能作出最有说服力的解释。为了更加深入地研究振动钻入机理，在继承国内外相关技术成果的：基础上，利用有限元方法对振动钻入的瞬时过程进行了更加深入地研究，以便为将来进一步研究振动钻削加工过程控制技术提供技术支撑。     

镁合金压铸件表面缺陷机理分析

AZ91D镁铝合金具有优良的加工性能、高的比强度、尺寸稳定性好及可回收利用等优点，因此广泛用于移动电话、笔记本电脑、数码相机等的结构件。但镁是一种非常活泼的金属，其标准电极电位为-2．37V，是所有结构金属中最低的。如果不经过适当的表面处理，镁及镁合金易遭受腐蚀。     

提高二代微光管荧光屏表面质量的探讨

二代微光管内的放电现象是一个十分复杂的问题,为了解决后近贴放电问题(屏与微道板),要求屏的表面在450倍显微镜下观察没有大的“凸起点”。在20/30TZ101(仿XX1380)管和二代薄片管的研制中,通过大量的实验,总结了一套提高二代管荧光屏表面质量的理论和方法。采用超声分选和改变电介质浓度的新方法解决了屏表面的“大凸起点”问题,提高了沉淀屏表面的质量。在改变涂(?)工艺的同时,建立了一套标准化配方的新工艺规范。工艺稳定,重复性好,使屏的良品率达到80%以上。由此,基本上解决了后近贴放电问题。     

模腔温度对注塑微孔发泡POM盖板泡孔结构和表面质量的影响

研发一种包含电加热和水冷却的快速热循环成型技术,以改善采用超临界氮气为物理发泡剂的注塑微孔发泡聚甲醛(POM)盖板的表面质量.通过优化设计,整个模具型腔表面的温度均匀性得到明显改善.定量研究模腔表面温度(T_M)对注塑微孔发泡POM盖板的泡孔结构和表面质量的影响,并分析相关的机理.结果表明,提高T_M可减小微孔发泡POM盖板的未发泡皮层厚度,但使其泡孔的直径少量增加、分布均匀性降低.使T_M从40提高至150℃可明显改善微孔发泡POM盖板的表面质量、减小表面粗糙度达85%,而不会明显增加成型周期.T_M取150℃时可消除常规注塑微孔发泡存在的制品表面缺陷.T_M要适当高(约130℃)以在改善微孔发泡POM盖板表面质量的同时保持良好的泡孔结构.     

清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响

锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。     

高速激光熔覆和重熔复合技术制备铁基涂层的组织性能研究

高速激光熔覆能大大提高熔覆效率,但高速激光熔覆层表面容易出现表面粗糙缺陷.采用高速激光熔覆和激光重熔混合工艺,可达到改善熔覆层表面质量、有效提升涂层性能的目的 .在液压立柱材料27SiMn表面激光熔覆制备了Fe90不锈钢涂层,利用超景深显微镜、X射线多晶衍射仪分别对熔覆层的表面形貌、微观组织结构、元素分布和物相构成进行了分析,通过硬度试验、耐磨损试验和电化学腐蚀试验对涂层的性能进行了验证.试验结果表明:涂层激光重熔后相比于重熔前表面粗糙度降低了8.5％,涂层内部的微观组织更加细密均匀,没有相的消失和新相的出现,只是相的含量增加.在性能方面,重熔之后的硬度提高为基体的2.6倍,磨损失重降低95％.采用激光重熔技术不仅改善了熔覆层表面质量,而且有效提升了涂层性能.     

钛合金TC4电化学加工均匀设计试验研究

电解加工钛合金,加工表面易形成钝化膜,致使加工困难,同时非加工表面又容易形成点蚀而影响表面质量.如何提高加工表面的质量一直是航空航天业以及其它机械行业迫切需要解决的问题.本文采用均匀设计法设计试验方案,试验数据经方差分析确定了以NaCl和Na2S2O8为主电解液的最佳配比及其相匹配的电参数.实验表明:以10%NaCl+4%Na2S2O8+某络合剂为电解液,在电流密度为50A/cm2的条件下加工,能获得很好的表面质量,表面粗糙度Ra值达到0.38μm.     

络合剂DTPA-5K在集成电路阻挡层CMP中的应用及机理分析

为了提高阻挡层化学机械抛光(CMP)的去除速率选择比,提出一种添加剂二乙烯三胺五乙酸五钾(DTPA-5 K),研究它在含双氧水(H2 O2)的抛光液中对材料去除速率的影响,并通过X射线光电子能谱(XPS)和离子间的相互作用分析了相关去除机理.结果表明:DTPA-5K既可作为铜(Cu)的络合剂,同时也可作为介质(TEOS...     

先进半导体硅材料:优化纳米集成电路性能的重要基础

本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程,硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律,表面形态与表面质量控制等研究热点;介绍了绝缘体上硅(SOI)、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势;展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。