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211.
Frequency Response of Near-Wall Coherent Structures to Localized Periodic Blowing and Suction in Turbulent Boundary Layer
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We experimentally investigate the frequency response of near-wall coherent structures to localized periodic blow- ing and suction through a spanwise slot in a turbulent boundary layer by changing the frequency of periodic disturbance at similar velocities of free stream. The effects of blowing and suction disturbance on energy redistri- bution, turbulent intensity U^+ rums over y^+ and waveforms of phase-averaged velocity during sweeping process are respectively discussed under three frequencies of periodic blowing and suction in near-wall region of turbulent boundary layer, compared with those in a standard turbulent boundary layer. The most effective disturbance frequency is figured out in this system. 相似文献
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郭庆 《信息安全与通信保密》2009,(11):37-37
美国东部时间10月8日晚间23时,Twitter再次宕机。许多用户于次日上午ll时前仍然不能访问Twitter。Twitter称,“我们正在调查导致许多用户不能访问服务的原因。”Twitter此后发布消息称正在采取措施解决故障。今年8月,Twitter曾因遭受DDoS攻击而大范围宕机,Facebook等社交网站也受到了这次DDoS攻击的影响。 相似文献
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媒体资产管理的概念从2000年进入国内,发展到今天,功能和应用模式已经脱胎换骨。从最早诞生于大规模传统历史资料数字化保存的存储型应用模式,经历了作为实现电视台网络间文件化互联纽带的互联型媒资应用,最终发展到介入电视台业务的核心,作为生产服务型媒资平台成为节目生产流程中的一个重要环节, 相似文献
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本文对VLSI中双层多晶硅结构的剖面及用于结构成形的干法腐蚀技术进行了研究,获得了优化的剖面结构.研究分析表明,多晶硅Ⅰ的侧墙越倾斜,则双层多晶硅结构越佳.改变刻蚀条件可以有效地调节横向对纵向的刻蚀速率比δ,满意地获得多晶硅Ⅰ侧墙倾角α为49°左右;多晶硅Ⅱ采用二步刻蚀工艺.结果既消除了3μm工艺中用各向异性的RIE刻蚀易出现的多晶硅Ⅱ沿多晶硅Ⅰ侧墙的残留造成的相邻字线短路现象,又保证了线宽的精确控制,对下层SiO_2只有轻微的侵蚀.为VLSI制造提供了适用的工艺结构设计和加工技术,成功地研制出了64K DRAM合格样品. 相似文献
217.
描述了一种用综合性方法设计的亚50nm自对准双栅MOSFET,该结构能够在改进的主流CMOS技术上实现.在这种方法下,由于各种因素的影响,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制.同时,侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表现出特有的宽度效应.建立了关于这种效应的模型,并提供了相关的设计指导.另外,还讨论了一种新型的沟道掺杂设计,命名为SCD.利用SCD的DG器件能够在体反模式和阈值控制间取得较好的平衡.最后,总结了制作一个SADG MOSFET 的指导原则. 相似文献
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根据《信息安全产业发展白皮书(2015版)》,2014年我国信息安全产业业务收入为739.8亿元,是2012年的2.4倍,近3年来我国信息安全产业规模年均增长率超过了40%.目前,国内信息安全市场已达到干亿元人民币的规模.
可以看到,国内信息安全市场不断成长,蕴含较大机遇.那么,2016年网络安全市场将走向何方?在不同的领域,企业是如何判断? 相似文献