全文获取类型
收费全文 | 11132篇 |
免费 | 2028篇 |
国内免费 | 3453篇 |
专业分类
化学 | 4303篇 |
晶体学 | 382篇 |
力学 | 828篇 |
综合类 | 193篇 |
数学 | 575篇 |
物理学 | 4205篇 |
无线电 | 6127篇 |
出版年
2024年 | 94篇 |
2023年 | 371篇 |
2022年 | 422篇 |
2021年 | 421篇 |
2020年 | 361篇 |
2019年 | 372篇 |
2018年 | 232篇 |
2017年 | 364篇 |
2016年 | 419篇 |
2015年 | 444篇 |
2014年 | 894篇 |
2013年 | 667篇 |
2012年 | 715篇 |
2011年 | 771篇 |
2010年 | 690篇 |
2009年 | 720篇 |
2008年 | 856篇 |
2007年 | 757篇 |
2006年 | 744篇 |
2005年 | 679篇 |
2004年 | 680篇 |
2003年 | 624篇 |
2002年 | 529篇 |
2001年 | 513篇 |
2000年 | 427篇 |
1999年 | 346篇 |
1998年 | 301篇 |
1997年 | 326篇 |
1996年 | 332篇 |
1995年 | 270篇 |
1994年 | 242篇 |
1993年 | 169篇 |
1992年 | 208篇 |
1991年 | 196篇 |
1990年 | 190篇 |
1989年 | 152篇 |
1988年 | 36篇 |
1987年 | 35篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 7篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 6篇 |
1979年 | 2篇 |
1975年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
41.
利用“热”标准芯片评价集成电路的热性能 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究研制出了符合国情的“热”标准芯片S、M、L三种规格,研制出了壳温变化小于0.5℃,相对误差小于2.31%的恒定壳温电学法IC热阻测试系统,获得了24种常用外壳和多种封装工艺热阻典型值及离散性,定量分析了同种样品,不同厂家封装的热阻差别;芯片面积对热阻的影响;粘片工艺对热阻的影响;背面金属化对热阻的影响。本研究还进行了实际电路与标准芯片稳态热阻比较,电学法与红外法热阻比较,说明研究成果有很好的 相似文献
42.
红外热像在混合集成电路热性能分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了红外热像法测温的基本原理及测量方法,说明了红外像在混合集成电路热性能分析的应用范围,并给出了应用实例,同时指出了红外热像法应用的前景和局限性。 相似文献
43.
44.
Study on the in—plane electrical resistivity and thermoelectric power in single crystals of La2—xBaxCuO4 下载免费PDF全文
The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La2-xBaxCuO4 at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text. 相似文献
45.
46.
47.
48.
热处理WO3电变色膜稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li^+电解质中进行比较性着色和消色循环实验,表明在290℃以下热退火处理能明显增加WO3薄膜在含水 电解质中的循环寿命。 相似文献
49.
钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用 总被引:10,自引:1,他引:9
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。 相似文献
50.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献