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961.
利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性.研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体.基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料.Ti2Cr1-xFexSn和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性.所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18规则. 相似文献
962.
采用发射光谱、紫外可见吸收光谱、红外吸收光谱和核磁共振技术分析1-丁基-3-甲基咪唑硫酸氢盐([Bmim]HSO4), 1-丁基吡啶硫酸氢盐(HSO4)和1-丁基-3-甲基咪唑四氟化硼([Bmim]BF4)三种离子液体在大气压介质阻挡放电氩等离子体体系中的稳定性,并分别以上述三种离子液体为辅助液采用大气压介质阻挡放电等离子体技术制备TiO2,进一步研究三种离子液体在等离子体中的稳定性对所制备的TiO2晶相结构的影响。结果表明:向大气压介质阻挡放电氩等离子体中分别引入[Bmim]HSO4,HSO4和[Bmim]BF4离子液体后并未改变氩等离子体放电光谱谱峰的位置和数量且没有新的谱峰生成,但谱峰强度都明显降低,说明上述三种离子液体没有在等离子体区蒸发形成激发态物种;[Bmim]HSO4和HSO4放电前后的红外吸收光谱基本一致,表明离子液体在放电后的化学键未发生改变;[Bmim]HSO4和HSO4的紫外可见吸收光谱显示其吸收峰的位置和强度未发生改变,说明两种离子液体在等离子体作用后的结构是稳定的;[Bmim]BF4放电前后的红外吸收光谱各个特征峰并无明显差异,但其紫外可见吸收光谱图谱吸收峰的位置却发生较大的偏移,进一步对放电前后的[Bmim]BF4离子液体进行核磁共振分析,两者的1H NMR峰数相同,但放电后的离子液体化学位移向高位偏移大约0.2单位,说明其化学环境发生了变化,表明有部分[Bmim]BF4结构发生改变。光谱和核磁共振技术分析表明离子液体[Bmim]BF4在等离子体作用后结构发生了改变。采用三种离子液体辅助大气压介质阻挡放电等离子体技术制备TiO2样品的X-射线衍射分析结果表明 [Bmim]HSO4和HSO4辅助制备的HSO4-TiO2和[Bmim]HSO4-TiO2,谱图与锐钛矿相TiO2标准谱图基本一致,表明所制备的TiO2为纯锐钛矿型。而[Bmim]BF4辅助制备的[Bmim]BF4-TiO2在2θ=24.1°处的衍射峰向小角度偏移,2θ=48°处的衍射峰向大角度偏移,说明[Bmim]BF4在辅助制备TiO2过程中,F进入TiO2的晶格,破坏了TiO2原子间的平衡状态,生成了F掺杂TiO2光催化材料。F掺杂TiO2光催化材料的形成也间接证明了离子液体[Bmim]BF4在大气压等离子体中的不稳定性,此结果与核磁共振及紫外可见光的检测结果相一致。同时说明离子液体在等离子体的作用下对于纯锐钛矿晶格的形成和促进高活性掺杂型的光催化材料具有重要作用。为等离子体辅助离子液体制备高性能纳米材料提供重要的实验和理论依据。 相似文献
963.
LiNi1-x-yCoxMnyO2正极材料作为最有商业化前途的锂离子电池正极材料,近年来成为研究者关注的焦点。但目前针对该材料合成工艺的研究还较少。对LiNi0.8Co0.15Mn0.05O2开展了不同的烧结工艺研究,并对制备出的正极材料进行了表征和性能测试。研究发现在0.1C (电池容量额定值)倍率下充放电比容量为200 mA·h·g-1左右,在1C倍率循环100次下,480 ℃@3 h + 780 ℃@5 h和500 ℃@5 h + 780 ℃@10 h两种烧结工艺下容量保持率分别为94%和86%,说明用这两种工艺制备的正极材料的综合性能最优。 相似文献
964.
基于液晶材料(LC)的双折射特性提出了一种基于液晶材料的短十字型阵列电控超材料,超材料包括了上层石英板,金属结构阵,中间液晶介质层,金属地板以及下层石英板。相比于传统的阵列天线设计,运用了新的相位补偿方法,即通过加电改变反射阵列单元的介质基板液晶的介电常数得到的相位曲线实现0~250°的相位补偿,使得超材料实现在U波段的相位变化。仿真结果表明,通过将偏压从0增加到14 V,超材料在52 GHz时呈现250°的相移。此外,此超材料的谐振频率可从53.6 GHz连续可逆地转移到49.9 GHz。通过调节超材料液晶激励区域的介电常数即改变阵列单元的谐振特性,实现了相位补偿,为平面反射阵列天线的设计提供了一种新思路。 相似文献
965.
外电场下交联聚乙烯电介质材料分子结构变化及其电老化微观机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了从微观角度分析交联聚乙烯(XLPE)材料的电树枝老化,本文采用分子模拟方法计算并优化得到了XLPE分子结构.沿着聚乙烯链施加不同大小电场强度,分析交联聚乙烯分子的几何结构、偶极矩、极化率、电荷分布、前线轨道能量和红外光谱变化规律.计算结果表明,随着外电场的增大,交联聚乙烯分子红外光谱发生较大变化;当外施电场达到0.026a.u.后,红外光谱图中出现虚频,表明分子空间结构不再稳定,易发生断键;另外从前线轨道图的变化可以看出断键现象最先发生在交联聚乙烯链端部;沿着电场方向,原子所带电荷量由交联处向端部转移,当外施电场达到0.029a.u.后,链端部的C-H和C-C键断裂产生H·和CH_3·自由基.游离的自由基会形成空间电荷并发生积聚,产生局部较大场强,从而进一步影响交联聚乙烯链的空间结构.而电介质内部微观特性的变化必定会导致交联聚乙烯材料绝缘性能的下降,这些变化对揭示交联聚乙烯电缆电树枝形成的微观规律具有重要研究意义. 相似文献
966.
铁电体具有可控的非易失电极化,在现代电子学中有着广泛的应用,例如大容量电容器、新型二极管、铁电场效应晶体管、铁电隧道结等.伴随着电子元器件的不断微型化,传统铁电体面临着极大的挑战,即在器件减薄过程中受限于临界尺寸效应,铁电性很难稳定存在于纳米乃至单原子层二维极限厚度下.鉴于二维范德华材料具有界面饱和、层间相互作用弱、易于实现二维极限厚度等特性,因此,在二维材料家族中寻找室温二维铁电性将是解决传统铁电体瓶颈的有效方法.本文将首先回顾近年来二维铁电物性研究的相关背景,并针对其中在技术应用上较为重要的α-In2Se3 面外铁电性作详细介绍,最后总结基于二维α-In2Se3 的铁电器件应用进展。 相似文献
967.
基于拉曼散射的分布式光纤温度传感器由于具有抗电磁干扰、耐高压、可连续测温等优点,在超导电缆及相关超导电力装置中具有潜在应用场景.在超导电缆低温运行环境中,常规光纤封装材料耐低温性能差,其收缩变形会降低光纤测温性能甚至破坏光纤结构.本文对低温下不同封装光纤测温性能展开研究,选择四种光纤样品,在77~287 K温度区间内对其进行了稳态和动态温度测量实验,分析了低温下不同封装材料、结构和厚度等因素对光纤测温性能的影响,给出了适用于液氮低温测温的光纤封装材料和结构,实验验证了聚烯烃紧套光纤在时间和空间上连续测温的可行性. 相似文献
968.
中国玉文化源远流长,治玉工艺经过各个时代的不断发展和完善,在一定程度上能反映古代社会生产力发展水平及文化、贸易、技术交流等信息。利用能量色散型X射线荧光光谱(EDXRF)、激光拉曼光谱(LRS)、超景深光学显微系统(OM)等分析技术,结合硅胶覆膜微痕复制技术,对河南省新郑西亚斯东周墓地出土的一批玉器进行科技分析。首先利用化学成分和物相结构分析技术确定了玉器材质的矿物属性,其次利用显微分析技术表征了玉器表面及穿孔内部和印模的加工痕迹,特别是阴刻纹饰和穿孔微痕特征,最后探讨了玉器样品的材料属性和加工工艺两者之间的联系。化学成分和物相结构分析结果表明,所分析的西亚斯东周玉器材质丰富,主要矿物组成有滑石、透闪石、水晶、云母等。玉器表面纹饰微痕特征分析表明,所分析玉器阴刻工艺采用了两种加工工具,分别是砣具和手持硬质工具。穿孔微痕分析特征表明,钻孔包括单面钻孔和双面/多面钻孔两种方式,钻孔工艺则有实心钻、管钻等。部分玉器钻孔形状和内部微痕特征表明,尽管均采用了实心钻工艺,但所采用的实心钻头在形状上存在差异,同时,也存在是否配合解玉砂进行钻孔的差异。不同材料属性的玉器采用了不同的加工工艺。滑石质玉器,莫氏硬度1,器型主要为玉片饰,其表面阴刻纹饰主要采用手持硬质工具进行刻画,钻孔主要采用了双面钻孔方式,并使用了实心钻头未添加解玉砂进行加工,钻头形状可能为圆锥状;云母质玉器,莫氏硬度2~3,器型主要为玉玦片饰,纹饰采用了砣具添加解玉砂的加工工艺,钻孔方式为单面钻孔,采用了管钻工艺。透闪石型玉器,莫氏硬度5~6,器型主要为玉片饰,表面纹饰采用砣具配合解玉砂砣刻,以双面钻孔的方式为主,钻孔工艺为实心钻头配合解玉砂工艺,钻头形状与滑石类样品一致,为圆锥状。水晶质玉器,莫氏硬度7,均为珠饰,表面无纹饰,钻孔方式为双面/多面钻孔,钻孔工艺为实心钻配合解玉砂工艺,且钻头可能为圆柱形。研究结果表明,玉器表面纹饰所采用的阴刻工艺和钻孔工艺,与玉器本身的材料属性、器型等存在密切关系。 相似文献
969.
970.
锑烯(antimonene)是继石墨烯和磷烯之后出现的新型二维材料,在锂离子电池等领域受到关注.本文基于第一性原理的密度泛函理论,计算研究了锑烯对Li原子的吸附特性,包括Li原子的最稳定吸附构型、吸附密度以及吸附Li原子的扩散路径.结果表明:Li原子最稳定的吸附位置位于谷位,即底层Sb原子之上、顶层三个Sb原子中心位置,吸附能为1.69 eV,吸附距离为2.81?;能带计算发现,锑烯为带隙宽度1.08 eV的间接带隙半导体,吸附Li原子后费米能级上升进入导带,呈现出金属性;原子分波态密度分析发现, Sb原子的p电子态和Li原子的p和s电子态形成明显的共振交叠,表现出杂化成键的特征;随着吸附Li原子数量增加,锑烯晶格结构和电子结构发生较大变化.通过微动弹性带方法计算发现, Li原子在锑烯表面的扩散势垒为0.07 eV,较小的势垒高度有利于快速充放电过程. 相似文献