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221.
从上述讨论可以看出,世界上许多的研究组直到眼下都在系统地研究高k的电荷捕获和由捕获所产生的特性,特别是在高电应力和高温条件下的测定,并且利用这些捕获的空间和能级分布来进行解释。这大大地加深了对于高k介电体电荷捕获问题的理解,但显然问题并没有完全解决,仍然需要继续工作。 相似文献
222.
223.
研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染. 相似文献
224.
225.
226.
驻极体声传感器及其储电材料的现状 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了驻极体声传感器及其储电材料近年来的迅猛发展。传统的FEP(tetrafluoroethylene—hexa—fluoropropylene copolymer)极体电容式声传感器及以铁电聚合物PVDF(poly vinylidene fluoride)家族为芯片的声传感器和超声抉能器仍焕发着青春活力。Si基微型驻极体声传感器的理论和实验研究已经日趋成熟,而用空间电荷型多孔聚合物驻极体压电薄膜为芯片可望研制出新一代声电和电声传感器、压力传感器和驱动器。 相似文献
227.
脆性光学材料超精密加工技术 总被引:2,自引:0,他引:2
如何在光学晶体、光学玻璃等脆性材料上高效地制取纳米级光学表现是现代超精密加工技术领域的重点研究课题。近年来,此项技术取得了突破性进展,出现了浮法抛光、离子束加工、韧性加工等新一代脆性光学材料超精密加工技术。从加工机理、加工精度、表面质量、生产率等方面对其进行分析比较,并讨论了令人瞩目的韧性加工技术。 相似文献
228.
电子设备几乎采用所有的金属结构材料。在潮湿含盐雾的海洋环境中,除少数惰性金属外,绝大多数金属都不耐腐蚀。其中电偶腐蚀尤为严重。正确选用金属材料和采取相应的表面防护措施,是电子设备“三防”设计的首要任务之一。 相似文献
229.
近年来,国际半导体行业竞争剧烈,继美、日、西欧之后,一些国家和地区例如南朝鲜、台湾等纷纷崛起,力图挤入国际市场,倾销半导体产品。此外,由于受到全球性经济衰退的影响,半导体工业不景气的局面有所持续。以具有代表性的、被誉为“技术先驱”的产品——4兆位DRAM市场情况来看,1988年 相似文献
230.
钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响。通过对不同厂家、不同批次的钴氧化物进行包括X光衍射、电子显微观察、原子光谱、比表面积、颗粒度分布的全面对比分析,发现国内大多数标志为Co_2O_3的试剂均为Co_3O_4;在相同的配方、工艺条件下仅由于Co_3O_4的生产厂家或批次不同而引起ZnO压敏电阻器性能巨大差异的内在根源之一是这些Co_3O_4的晶粒太大。对其原因进行了理论探讨。还对用于ZnO压敏电阻器的Co_3O_4材料物理参数提出了明确的要求。 相似文献